Эффективная масса - электрон
Cтраница 1
 |
Генерация ( / и рекомбинация ( 2 носителей заряда в полупроводнике. [1] |
Эффективная масса электрона - квантово-механиче-ский параметр, применяемый в расчетах взаимодействия электрона с кристаллической решеткой. [2]
Эффективная масса электрона в кристалле не определяет ни инерционных, ни гравитационных его свойств. [3]
Эффективная масса электрона обратно пропорциональна обменному интегралу и тем самым ширине зоны энергии. Поскольку при прочих равных условиях увеличение ширины зоны энергии приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, то можно ожидать, что в веществах с меньшей шириной запрещенной зоны эффективная масса электрона должна быть меньше. [4]
Эффективная масса электрона обратно пропорциональна обменному интегралу и тем самым ширине зоны энергии. Поскольку при прочих равных условиях увеличение ширины зоны энергии приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны, можно ожидать, что в веществах с меньшей шириной запрещенной зоны эффективная масса электрона должна быть меньше. [5]
Эффективная масса электрона в кристалле - это масса такосо свободного электрона, который под действием внешней силы приобрел бы такое же ускорение, как и электрон в кристалле под действием такой же силы. Эффективная масса не определяет ни инерционности, ни гравитационных свойств электрона. Она может быть большей, меньшей или равной массе свободного электрона в кристалле. Она может быть положительной, отрицательной и равной нулю. Эффективная масса зависит от температуры, давления, характера и концентрации примесей, от направления движения электрона. Эффективная масса носителей заряда обратно пропорциональна ширине зоны, в которой они находятся. [6]
Эффективная масса электрона равна 1 57 то, а донор можно считать рассеивающим центром с; г5 - 10 - - 2 мкм. Чему равны средняя длина свободного пробега и среднее время между столкновениями при 300 К. [7]
Эффективная масса электрона бывает меньше его настоящей массы, иногда, как это ни парадоксально, даже во много раз. Эти металлы заведомо диамагнитны. [8]
Обычно эффективная масса электрона в свободной полосе по порядку величины близка к массе свободного электрона. Свободные же места, образовавшиеся вследствие ухода электронов наибольших энергий из нормальной полосы, эквивалентны электронам не только с иной массой, но и с положительным зарядом. Для краткости их часто называют положительными дырками, а вызванную ими проводимость - дырочным механизмом проводимости. [9]
Эффективную массу электрона можно измерить экспериментально, используя для этого циклотронный резонанс, сущность которого заключается в следующем. [10]
Зависимость эффективной массы электрона в n - InSb от концентрации носителей тока. [11]
Значение эффективной массы электрона т определено с учетом взаимодействия электронов с кристаллической решеткой, когда последняя не испытывает тепловых колебаний. Это означает также, что электрон можно рассматривать как волну, свободно ( без затухания) распространяющуюся в идеальной, не испытывающей тепловых колебаний, кристаллической решетке. [12]
Значения эффективной массы электронов могут быть различны при движении в кристалле вдоль различных неэквивалентных направлений. [13]
Рассмотрим сначала эффективную массу электрона. Если зона проводимости характеризовалась только одним эллипсоидом, ю эффективная масса была просто средним геометрическим эффективных масс для тех главных осей эллипсоида. [14]
 |
Спектры поглощения загрязненного InSb.| Спектры поглощения чистого InSb. [15] |
Страницы: 1 2 3 4