Cтраница 3
У кремния произведение эффективной массы электрона на ширину запрещенной зоны оказывается гораздо больше, чем у германия и арсенида-галлия, что обусловливает меньший туннельный ток кремниевых диодов. [31]
Наиболее надежное значение эффективной массы электронов вблизи дна зоны проводимости приводят, по-видимому, Мосс и Уолтон [33], которые измеряли фара-деевское вращение в инфракрасной области. [32]
Наиболее прямое измерение эффективной массы электронов в GaAs произвел, по-видимому, Мосс [34], который измерил в инфракрасной области фарадеев-ское вращение, обусловленное электронами проводимости в материале n - типа. [33]
Предположение о равенстве эффективных масс электронов и позитронов не выдерживает критики, поскольку энергии электронной поляризации, связанной с каждой частицей, различны. Электроны могут занимать состояния только в соответствии с принципом Паули, уменьшая таким образом устойчивость, связанную с доступностью увеличенной плотности состояний. Позитроны не связаны запретом Паули, поэтому для них возможна высокая плотность состояний, а значит, более высокая поляризуемость и более значительная эффективная масса. Таким образом, взаимодействие с решеткой усиливается, и в случае ковалентно связанных кристаллов образуется позитронное поляроноподобное состояние с эффективной массой, превышающей эффективную массу электрона примерно в пять - десять раз. В органических кристаллах химические примеси являются гораздо более эффективными ловушками для электронов, чем для позитронов, так что, если эффективная масса позитрона даже в десять раз превышает эффективную массу электрона, подвижность электрона все же будет меньше подвижности позитрона из-за преобладающего влияния ловушек на величину подвижности электрона. [34]
Все сказанное об эффективной массе электронов относится и к эффективной массе дырок, поэтому мы не будем повторяться. [35]
Величина т называется эффективной массой электрона. [36]
Величину т называют эффективной массой электрона. Приписывая электрону, находящемуся в периодическом поле кристалла, массу т, мы можем считать этот электрон свободным и описывать движение его во внешнем поле так, как описывается движение обычного свободного электрона. [37]
Величина шэф называется эффективной массой электрона в кристалле ( ср. [38]
Масса тэф называется эффективной массой электрона. [39]
Величина т называется эффективной массой электрона. Эффективная масса электрона в кристалле - это масса такого свободного электрона, которую он должен был бы иметь для того, чтобы под действием внешней силы приобрести такое же ускорение, как и электрон в кристалле под действием той же силы. [40]
Что понимают под эффективной массой электрона в кристалле. [41]
Величина т известна как эффективная масса электрона в кристалле, поскольку уравнение (8.63) аналогично выражению для второго закона Ньютона. [42]
Величина т известна как эффективная масса электрона в кристалле, поскольку уравнение ( 8 63) аналогично выражению для второго закона Ньютона. [43]
Но вблизи точки kd эффективная масса электрона становится отрицательной ( см. гл. Таким образом, под действием внешнего поля электрон, казалось бы, должен совершать колебания по направлению оси х около начала координат. На самом деле, однако, в реальных кристаллах поведение электрона совсем иное. За время, необходимое для того, чтобы значение kx ощутимым образом возросло под действием поля, электрон успевает много раз столкнуться с различными дефектами. Среднее для всех электронов значение k может измениться существенным образом лишь в очень сильных электрических полях. Вместе с тем в каждом отдельном акте столкновения значение k отдельно взятого электрона претерпевает сильные изменения. [44]
Благодаря тому, что эффективная масса электронов мала, при увеличении концентрации электронов очень быстро наступает вырождение зоны проводимости. При этом уровень Ферми поднимается выше дна зоны проводимости. [45]