Эффективная масса - электрон
Cтраница 2
Благодаря малой эффективной массе электронов в антимониде индия с увеличением концентрации примесей быстро наступает вырождение электронного газа. Тогда уровень химического потенциала поднимается выше дна зоны проводимости, и все энергетические уровни в свободной зоне ниже уровня Ферми оказываются занятыми. [16]
Для CdAs2 эффективная масса электронов и дырок зависит от кристаллографического направления. [17]
Так как эффективная масса электрона в кристалле обратно пропорциональна кривизне изоэнергетической поверхности (2.64), то, очевидно, скорость (2.73) будет тем меньше, чем больше эффективная масса или чем больше вытянут эллипсоид энергии в данном направлении. [18]
Следовательно, эффективная масса электрона отражает влияние идеальной кристаллической решетки на движение электрона в кристалле под действием внешней силы. [19]
Так как эффективная масса электрона в кристалле обратно пропорциональна кривизне изоэнергетической поверхности (2.64), то, очевидно, скорость (2.73) будет тем меньше, чем больше эффективная масса или чем больше вытянут эллипсоид энергии в данном направлении. [20]
Для CdAs2 эффективная масса электронов и дырок зависит от кристаллографического направления. [21]
В диэлектриках эффективная масса электронов и дырок часто оказывается аномально высокой, в десятки и сотни раз превосходя величину шэф в металлах и полупроводниках. Дело в том, что свободные электроны в диэлектриках оказываются в частично связанном - поляропиом состоянии. Это явление характерно для ионных кристаллов, поскольку кулоновское взаимодействие особенно велико между электропамп и нонами кристаллической решетки. Вследствие этого в окрестности электрона пли дырки происходит деформация кристаллической решетки, так что поляроном называется область искаженной решетки вместе с электроном или дыркой, вызвавшей это искажение. Смысл этого термина заключается в том, что электрон ( дырка) поляризует своим электрическим полем решетку диэлектрика и локализуется в области этого искажения. При этом локализация происходит, как правило, в весьма малом объеме ( несколько элементарных ячеек) и на значительное время. Перемещение полярона в кристаллической решетке происходит за счет тепловых флуктуации быстрым прыжком на соседний узел решетки, причем время самого прыжка намного меньше, чем время автолокализации. Вместе с электроном или дыркой при этом перемещается и искаженная область, что и объясняет повышение эффективной массы. [22]
Исследование зависимости эффективной массы электронов в / i - InSb от концентрации носителей тока. [23]
Вследствие малости эффективной массы электронов в зоне проводимости InSb резонанс наступает при магнитной индукции порядка 4 - Ю4 гс для длины волны в 41 1 мк, которая удобна потому, что она лежит вне области сильного поглощения решеткой. Кейз и др. установили, что величина эффективной массы электронов в InSb растет с магнитным полем, достигая при В3 - 105 гс значения 0 027 т, но экстраполируется при Б - О1 к величине, полученной из микроволнового циклотронного резонанса. [24]
Здесь т - эффективная масса электрона или дырки, COLO - частота продольных оптических колебаний, а Йсоьо - их энергия, кх - диэлектрическая проницаемость на высоких частотах со CULO, когда ионы не успевают смещаться и поляризация создается только электронами атомных оболочек, а е0 - проницаемость на низких частотах и t or o, включающая поляризацию, связанную со смещением ионов. [25]
Приведены подвижность и эффективная масса электронов. [26]
Таким образом, эффективная масса электрона существенно зависит от ширины энергетической зоны, к которой он принадлежит. Электроны широкой валентной зоны 3s, обладающие высокими скоростями поступательного движения по кристаллу, имеют эффективную массу, практически равную эффективной массе свобод-ного электрона. Электроны же узкой внутренней зоны Is, перемещающиеся по кристаллу с ничтожно малой скоростью, имеют колоссальную эффективную массу, на много порядков превышающую массу свободного электрона. [27]
Видно, что эффективная масса электронов, располагающихся у дна зоны, положительна и близка к массе свободного электрона. В середине зоны, там, где наблюдается перегиб кривой E ( k), эффективная масса становится неопределенной. У потолка зоны электроны обладают отрицательной эффективной массой. [28]
Вблизи потолка зоны эффективная масса электронов, согласно выражению (2.10), отрицательна. Поэтому частицы, имеющие отрицательную массу и отрицательный заряд, ускоряются в направлении вектора электрического поля. Эффективная маса дырок определяется так же, как эффективная масса электронов. Поскольку протекание электрического тока в полупроводниках осуществляется с участием как электронов, так и дырок, то и те и другие называют носителями. [30]
Страницы: 1 2 3 4