Запоминающий массив

Cтраница 1

Запоминающий массив состоит из запоминающих элементов ( ЗЭ), которые могут принимать два устойчивых состояния: логических единицы или нуля. [1]

Запоминающий массив кмеет горизонтальные шины X, вертикальные шины Y и эбмотки считывания. В точках взаимных пересечений пин располагаются ферри-товые сердечники. Весь массив разбит на секции по количеству разрядов запоминаемых слов. Каждая обмотка считывания охватывает все сердечники одной разрядной секции. В соответствии с числом разрядных секций шины У разделены ьа группы, каждая из которых имеет свою независимую систему возбудителей. [2]

Запоминающий массив имеет горизонтальные шины X, вертикальные шины У и обмотки считывания. В точках взаимных пересечений шин располагаются ферри-товые сердечники. Весь массив разбит на секции по количеству разрядов запоминаемых слов. Каждая обмотка считывания охватывает все сердечники одной разрядной секции. В соответствии с числом разрядных секций шины Y разделены на группы, каждая из которых имеет свою независимую систему возбудителей. [3]

Запоминающий массив содержит 64 горизонтальные шины X и 128 вертикальных шин У, на пересечении которых расположены ЗЭ. Вертикальные шины У разбиты на 8 групп по 16 в каждой. Число групп соответствует количеству разрядов, хранимых в корпусе слов. Шины У одной группы подсоединены к соответствующему разрядному усилителю записи / считывания ( УЗпСч) посредством обычных транзисторов ( VT0, VTt. [4]

Структура ассоциативной памяти. [5]

Запоминающий массив содержит N ( п 1) - разрядных ячеек. [6]

Постоянное ЗУ типа 2D 120. [7]

Запоминающий массив образуется системой взаимно перпендикулярных линий, в их пересечениях устанавливаются ЗЭ, которые либо связывают ( состояние 1), либо не связывают ( состояние 0) между собой соответствующие горизонтальную и вертикальную линии. Поэтому часто ЗЭ и ПЗУ называют связывающими элементами. [8]

Постоянное ЗУ типа 2D. [9]

Запоминающий массив образуется системой взаимно перпендикулярных линий, в пересечениях которых устанавливаются ЗЭ, которые либо связывают ( состояние 1), либо не связывают ( состояние 0) между собой соответствующие горизонтальную и вертикальную линии. Поэтому часто ЗЭ в ПЗУ называют связывающими элементами. Для некоторых типов ЗЭ состояние 0 означает просто отсутствие запоминающего ( связывающего) элемента в данной позиции в ЗМ. [10]

Упрощенная блок-схема системы ПЗС-памяти. [11]

Запоминающий массив состоит из БИС ПЗС, организованных в параллельную или последовательную форму. В параллельной конфигурации одновременно разрешаются восемь ПЗС и каждый вкладывает один бит. Следовательно, общее число ПЗС должно быть кратно 8 при байтовой организации и кратно 16 при организации с 16-битными словами. [12]

Запоминающий массив АЗУ состоит, так же как и в адресном ЗУ, из ячеек. В регистре признака АЗУ задается код признака нужной информации, причем количество разрядов признака не может превышать числа разрядов в ячейке памяти. Затем производится опрос всех ячеек памяти. [13]

Запоминающий массив ЗУ типа 3D представляет собой пространственную матрицу, составленную из и плоских матриц, представляющих собой ЗМ для отдельных разрядов ячеек памяти. [14]

Матрица памяти из ферритов ых колец. [15]

Страницы: 1 2 3 4