Запоминающий массив

Cтраница 2

Помимо запоминающего массива в ОЗУ имеются регистры адреса, информационный регистр, блок адресной выборки с дешифратором адресов, усилители-формирователи и блок управления памятью. Обращение к памяти инициируется сигналом из УУ, который проходит через регистр адреса, блок выборки и усилители в соответствующие ячейки памяти; при этом информация или записывается, или считывается. Считываемая информация передается в информационный регистр на выходные шины. [16]

При таком построении запоминающего массива все сердечники одного слова оказываются лежащими вдоль оси X, а сердечники одноименных разрядов всех слоев располагаются в секторе, определяемом разрядной группой линий Y. Если запоминающий массив на N слов имеет т линий X и в каждом разрядном секторе k линий Y, причем mk - N, то на каждой линии X располагаются сердечники всех разрядов k слов, а на каждой линии Y - одноименные разряды m слов. Поэтому по аналогии со структурой 2D и ЗУ типа 2 5.0 линии X называются словарными, а линии У - разрядными. [17]

При таком построении запоминающего массива все сердечники одного слова оказываются лежащими вдоль оси X, а сердечники одноименных разрядов всех слоев располагаются в секторе, определяемом разрядной группой линий Y. Если запоминающий массив на N слов имеет т линий X и в каждом разрядном секторе k линий Y, причем mk - N, то на каждой линии X располагаются сердечники всех разрядов k слов, а на каждой линии Y - одноименные разряды т слов. Поэтому по аналогии со структурой 2D в ЗУ типа 2 5D линии X называются словарными, а линии У - разрядными. [18]

Запоминающее устройство типа 3D. [19]

Устройство состоит из запоминающего массива на ферритовых сердечниках, возбудителей линий X и Y, разрядных возбудителей запрета и разрядных усилителей считывания. [20]

Запоминающее устройство любого типа состоит из запоминающего массива, хранящего информацию, и блоков, служащих для поиска в массиве, записи и считывания ( а в ряде случаев и для регенерации) информации. [21]

Число выводов ограничивает число слов и разрядов запоминающего массива интегральной микросхемы. Для получения ЗУ с большим числом разрядов и ( или) слов, чем в запоминающем массиве в корпусе схемы, применяются несколько корпусов. [22]

Структура адресной памяти с произвольным обращением. [23]

Типичная структура ассоциативной памяти представлена на рис. 4.3. Запоминающий массив содержит N ( п 1) - разрядных ячеек. [24]

Из совокупности матриц формируется ферритовый куб памяти - запоминающий массив ( ЗМ), называемый оперативным запоминающим устройством. [25]

Совокупность определенным образом соединенных ЗЭ образует запоминающую матрицу или запоминающий массив, где каждый ЗЭ хранит бит информации. К ЗЭ должны поступать управляющие сигналы для задания режима работы, а также информационный сигнал при записи, а при считывании ЗЭ должен выдавать сигнал о его состоянии. [26]

Совокупность определенным образом соединенных ЗЭ образует запоминающую матрицу или запоминающий массив ( ЗМ), где каждый ЗЭ хранит бит информации. К ЗЭ должны поступать управляющие сигналы для задания режима работы, а также информационный сигнал при записи. А при считывании ЗЭ должен выдавать сигнал о его состоянии. [27]

Конструктивно ОП состоит из множества одинаковых элементов, образующих единый запоминающий массив. Массив разделен на отдельные ячейки, каждая из которых предназначена для хранения одного машинного слова и имеет определенный номер-адрес ячейки. Операция записи слова в ячейку по данному адресу или считывания слова из ячейки называется обращением ОП. [28]

Конструктивно ОП состоит из множества одинаковых элементов, образующих единый запоминающий массив. Массив разделен на отдельные ячейки, каждая из которых предназначена для хранения одного машинного слова и имеет определенный номер - - а д-рес ячейки. Операция записи слова в ячейку по данному адресу или считывания слова из ячейки называется обращением к оперативной памяти. [29]

Структура адресной памяти с произвольным обращением. [30]

Страницы: 1 2 3 4