Запоминающий массив

Cтраница 3

Типичная структура адресной памяти, показанная на рис. 4.2, содержит запоминающий массив из N л-разрядных ячеек и его аппаратурное обрамление, включающее в себя регистр адреса РгА, имеющий k ( & log N) разрядов, информационный регистр РгИ, блок адресной выборки БАБ, блок усилителей считывания БУС, блок разрядных усилителей-формирователей сигналов записи БУЗ и блок управления памятью БУП. [31]

Типичная блок схема ОЗУ на магнитных элементах. [32]

В зависимости от типа запоминающих элементов и способа их организации в запоминающем массиве аппаратура управления имеет некоторые особенности. Ниже рассмотрены методы построения схем управления главным образом для ОЗУ на магнитных элементах. Некоторые общие положения могут быть использованы и в схемах управления ЗУ других типов. [33]

Способ организации памяти зависит от методов размещения и поиска информации в запоминающем массиве. По этому признаку различают адресную, ассоциативную и стековую ( магазинную) памяти. [34]

Оперативное запоминающее устройство, как правило, состоит из множества одинаковых запоминающих элементов, образующих запоминающий массив. Массив разделен на отдельные ячейки, каждая из которых предназначена для хранения одного машинного слова. Ячейкам присваиваются определенные номера, называемые их адресами. [35]

При создании оперативных ЗУ большой емкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик ферритовых сердечников, используемых в запоминающем массиве. Для этого ограничивают допуск на разброс геометрических размеров сердечников и их электрических характеристик. С этой целью разработаны различные способы испытаний сердечников, учитывающие условия их работы в реальных запоминающих устройствах. Широкое распространение получил способ, который основан на измерении амплитуд и длительностей выходных сигналов сердечников после разрушающих воздействий частичных возбуждений. Последняя характеристика называется также импульсной квадратностью. Длительность сигнала ts представляет собой время, в течение которого сигнал uVi превышает уровень, составляющий 10 % амплитудного значения. [36]

При создании оперативных ЗУ большой емкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик ферритовых сердечников, используемых в запоминающем массиве. Для этого ограничивают допуск на разброс геометрических размеров сердечников и их электрических характеристик. С этой целью разработаны различные способы испытаний сердечников, учитывающие условия их работы в реальных запоминающих устройствах. Широкое распространение получил способ, который основан на измерении амплитуд и длительностей выходных сигналов сердечников после разрушающих воздействий частичных возбуждемй. Последняя характеристика называется также импульсной квадратностью. Длительность сигнала ts представляет собой время, в течение которого сигнал uVi превышает уровень, состаьляющий 10 % амплитудного значения. [37]

Обычно ОЗУ состоит из большого числа одинаковых запоминающих элементов, объединенных в ячейки, которые образуют запоминающий массив. [38]

Отсюда следует, что количество переключающихся сердечников при возбуждении линии слова всегда одинаково и, таким образом, каждая линия слова запоминающего массива со своими сердечниками представляет как бы автоматически стабилизированную нагрузку для источника возбуждения линии слова. Таким свойством не обладает структура 2D с одним сердечником на разряд, так как в зависимости от кода слова токи чтения или записи переключают различное количество сердечников из числа находящихся на выбранной линии слова. [39]

Отсюда следует, что кэличество переключающихся сердечников при возбуждении линии слова всегда одинаково и, таким образом, хаждая линия слова запоминающего массива со своими сердечниками представляет как бы автоматически стабилизированную нагрузку для источника возбуждение линии слова. Таким свойством не обладает структура 2D с одним сердечником на разряд, так как в зависимости от кода слова токи чтения или записи переключают различное количество сердечников из числа находящихся на выбранной линии слова. [40]

При этом поиск по ассоциативному признаку ( или последовательно по отдельным разрядам этого признака) происходит параллельно во времени для всех ячеек запоминающего массива. Во многих случаях ассоциативный поиск позволяет существенно упростить и ускорить обработку данных. [41]

Рассматриваемое перепрограммируемое ПЗУ имеет структуру типа 2D - M. Запоминающий массив содержит 64 горизонтальных X и 128 вертикальных Г линий, на пересечении которых расположены МОП-транзисторы с плавающим и селектирующим затворами. Вертикальные линии разбиты на 8 групп по 16 в каждой. Число групп соответствует числ-у разрядов, хранимых в микросхеме ( корпусе) слов. В качестве адресного формирователя используется дешифратор линий X, выдающий сигналы чтения. Разрядно-адресный коммутатор образован дешифратором линий Y, который управляет коммутирующими транзисторами, подсоединенными к разрядным усилителям считывания-записи. [42]

Перепрограммируемое МОП-ПЗУ емкостью 8 К ( 1 К х 8 бит ( в одном корпусе. [43]

Рассматриваемое перепрограммируемое ПЗУ имеет структуру типа 2D - M. Запоминающий массив содержит 64 горизонтальных X и 128 вертикальных У линий, на пересечении которых расположены МОП-транзисторы с плавающим и селектирующим затворами. Вертикальные линии разбиты на восемь групп по 16 в каждой. Число групп соответствует числу разрядов, хранимых в микросхеме ( корпусе) слов. В качестве адресного формирователя используется дешифратор линий X, выдающий сигналы чтения. [44]

Запоминающий массив АЗУ так же, кг к и в адресном ЗУ, разделен на ячейки. [45]

Страницы: 1 2 3 4