Материал - пленка
Cтраница 1
Материал пленок часто характеризуется высокой степенью кристалличности и ориентацией молекул в направлении вытяжки в процессе произ-ва. [1]
Материалы пленок должны иметь, по возможности, коэффициент теплового расширения, близкий к коэффициенту теплового расширения подложки, выдерживать высокотемпературные операции, например при пайке или сварке, при герметизации или во время эксплуатации. [2]
 |
Пакеты и блоки стеклоэмалевых пленочных конденсаторов. [3] |
Материалом оберточной пленки является та же стеклоэмаль № 278 - 2, которая используется в качестве диэлектрика конденсатора. Край оберточной пленки закрепляется клеем БФ-2. Этим же клеем проклеиваются все витки обертки по торцам. Обернутые пакеты укладываются на пластины из жароупорного железа, покрытые слоем часовъярской глины, и обжигаются при температуре 700 10 С. [4]
Если материал пленки плохо поддается травлению ( например, Аи), то применяют так называемую обратную, или взрывную, фотолитографию. На пластине / ( рис. 2.20, а) сначала формируется фоторе-зистивная маска, а затем наносится пленка 2 и производится жидкостное травление. [5]
Если материал выращиваемой пленки и подложки идентичен, например кремний выращивается на кремнии, то процесс называется автоэпитаксиальным или гомоэпитаксиальным. Если же материал слоя и материал подложки различаются, например пленка Sij xGex выращивается на кремнии, то процесс называется гетероэпитаксиаль-ным, а сама пленка - гетероструктурой. [6]
Пуассона для материала пленки; 8 - усадка. [7]
 |
Изменение коэффициента абсорбции для А1, Си и РЬ при энергии излучения до 20 МэВ. [8] |
Характеристическая кривая материала пленки представляет собой зависимость оптической плотности D от логарифма относительного облучения Не в прямоугольной системе координат. [9]
Параметры решетки материала пленки измеряют обычно с помощью электронной и рентгеновской дифракции. Для анализа слоев менее 1000 А методом электронной дифракции используют дифракцию как отраженного, гак и проходящего пучка. [10]
Часто между материалом пленки и подложкой образуется очень сильная химическая связь. Примером может служить алюминий, образующий окисяую связь со стеклянной подложкой, В этом случае Е очень велика, я барьер зародъгшеобразования можно сильно уменьшить. [11]
Деформация сопровождается выдавливанием материала пленки из внутренних областей секции, в силу чего происходит утонение диэлектрика, а следовательно, снижение электрической прочности секций, и возникает возможность появления коротких замыканий, особенно у краев фольги. Поэтому верхний температурный предел должен точно выдерживаться, ибо превышение его влечет за собой закорачивание витков фольги и нарушение формы торцов. [12]
 |
Поле концентраций при растворении твердого тела с образованием пористой пленки из продуктов реакции. [13] |
Рй - плотность материала пленки; т - стехиометрический коэффициент пересчета, равный отношению эквивалентных масс реагента и продуктов реакции. [14]
Получаемые на основе этих материалов пленки обладают высокой адгезией к различным поверхностям и хорошим блеском. [15]
Страницы: 1 2 3 4