Материал - пленка
Cтраница 2
В целях механического усиления материала пленки склеивают с бумагой, электрокартоном или какой-либо другой подложкой. [16]
При катодном распылении состав материала пленки почти совсем не отличается от состава мишени. Если же в камеру подать реактивный газ, то становится возможным напыление соединений. Механизм реактивного распыления с образованием соединений до сих пор не имеет строгого теоретического обоснования. [17]
К моменту начала технологической паузы материал пленки торца, оплавленный сварочным инструментом, представляет собой расплав полимера, который сравнительно легко непрерывно и необратимо деформируется - течет. Течение расплава пленки торца между поверхностью сварочного инструмента, и материалом, еще не перешедшим в вязкотекучее состояние, сложный реологический процесс, мало изученный в сварке пластмасс. [18]
При дальнейшем повышении удельного сопротивления материала пленки возможно возникновение пробоя между пленкой и заземленной поверхностью субстрата. Образуется так называемая обратная корона, в результате чего в газовую среду могут инициироваться положительные ионы. Обратная корона ухудшает адгезию и в этом смысле является нежелательным явлением. [19]
Скорость и избирательность разделения определяется материалом пленки, ее толщиной, давлением и температурой. Пленка но внешнему виду напоминает целлофан. Состав материала пленки выбирают, исходя из характера газовой смеси, и проверяют ее пригодность для разделения газов данного состава опытным путем. Непористые мембраны позволяют выделять отдельные компоненты даже из азеотропных и очень близкокипящих смесей, разделение которых простой ректификацией невозможно или затруднительно. [20]
Минимальный линейный размер резистора определяется материалом пленки, технологией нанесения или изготовления масок, возможностями контроля процесса производства и заданной величиной допуска на сопротивление резистора. [21]
При восстановлении комплексного аниона серебра материалом пленки и продуктами ее деструкции образуется металлическое серебро в коллоидной форме, которое в основном оседает на сепараторах, расположенных у положительного электрода. [22]
 |
Схема разделения углеводородов при помощи непористых мембран. [23] |
Скорость и избирательность разделения определяется материалом пленки, ее толщиной, давлением и температурой. Пленка по внешнему виду напоминает целлофан. Состав материала пленки выбирают, исходя из характера газовой смеси, и проверяют ее пригодность для разделения газов данного состава опытным путем. Непористые мембраны позволяют выделять отдельные компоненты даже из азеотропных и очень близкокипящих смесей, разделение которых простой ректификацией невозможно или затруднительно. [24]
 |
Зависимость изменения сопротивления пленок Cr - SiO ( 20 % SiO от времени нагрева при разных температурах.| Изменение сопротивления резисторов при различной удельной мощности луча. [25] |
При импульсном воздействии расфокусированного луча лазера на материал пленки происходит необратимое снижение величины ра опять-таки из-за структурных превращений в пленке. [26]
 |
H10. Изгибающий момент пленки за счет внешних сил ( зона А и в результате деформации ( зона Б.| Изменение напряжений ( а и момента отрывающей силы ( б для различных модулей упругости. [27] |
В процессе отрыва пленки изменяются упругие свойства материала пленки. [28]
Термические напряжения обусловлены различием температурных коэффициентов расширения материалов пленки и подложки. [29]
Во многих случаях осаждения пленки на металлические подложки материал пленки вступает в реакцию с подложкой, что приводит на самой начальной стадии роста пленки к образованию сплава. Для лучшего понимания эпитаксиального процесса необходимо иметь подробную информацию об условиях осаждения, при которых происходит сплавление между пленкой и подложкой. Достаточно эффективным методом для таких исследований начальной стадии осаждения пленки является метод дифракции электронов низких энергий. Здесь будут указаны типичные примеры таких исследований. Для этих целей пригоден также метод дифракции электронов высоких энергий; результаты, полученные этим методом, приводятся в разд. Изучение дифракции лектронов низких энергий в процессе роста показывает, что сплавление может происходить даже при достаточно низкой температуре подложки, так что объемная диффузия может не учитываться. Тейлор [ 106J наблюдал образование структуры сплава Си - W на начальной стадии роста меди на чистой поверхности ( 110) вольфрама при комнатной температуре, что было подробно описано ранее. [30]
Страницы: 1 2 3 4