Материал - подложка
Cтраница 1
 |
Выбор температурно-временного.| Дифрактограмма композиционного материала ( Bi2PdO4 - 58 %, стекло 278 - 2. [1] |
Материал подложки должен обеспечивать высокую прочность, теплопроводность, инертность по отношению к композиционной системе. [2]
Материал подложки должен иметь гладкую поверхность, быть химически инертен, обладать высокой механической и электрической прочностью и высокой теплопроводностью, значения коэффициентов термического расширения материала подложки и напыляемых слоев должны быть по возможности близки. [3]
Материал подложки должен иметь максимальное удельное сопротивление и минимальную величину диэлектрической проницаемости. При выборе материала для подложки обычно принимают во внимание его теплопроводность и величину коэффициента линейного расширения. [4]
Материал подложки не должен химически взаимодействовать с фотополупроводником ни при комнатной, ни при повышенной температуре. [5]
Материал подложки должен обладать удельным электрическим сопротивлением, величина которого равна или ниже удельного сопротивления полупроводникового слоя на свету. В принципе для подложек могут быть использованы и диэлектрические пленки, однако их применение осложняет процессы электризации слоя и формирования скрытого изображения. [6]
Материал подложки влияет на спектральную характеристику фотокатода, если промежуточный слой не имеет достаточной толщины. [7]
Материал подложки должен иметь максимальное удельное сопротивление и минимальную величину диэлектрической проницаемости, кроме того, при выборе материала для подложки необходимо учитывать его теплопроводность и величину коэффициента линейного расширения. Поскольку коэффициенты линейного расширения кремния и большинства материалов многослойных керамических подложек не согласованы, хотя и близки по значению, то приходится предусматривать специальные меры по снижению тепловых напряжений в конструкции полупроводник - подложка. [8]
Материал подложки может быть практически любой, применяющийся для изготовления обычных ПП. Для закрепления проводов на подложке последнюю покрывают слоем ( толщиной в 0 1 мм) термореактивного клея. Укладку проводов осуществляют на специальной установке с числовым программным управлением, состоящей из точного координатного стола и ультразвуковой головки в качестве рабочего органа. С помощью ультразвука проводник надежно соединяется с изоляционным основанием. [9]
Материалы подложки и нанесенных на ней пленок должны иметь незначительно различающиеся температурные коэффициенты линейного расширения ( ТКЛР) для обеспечения достаточно малых механических напряжений в пленках, вызывающих их отслаивание и растрескивание. [10]
Материалом подложки могут служить слюда, керамика или другие изоляционные материалы. Материал подложки должен обеспечить хорошую адгезию напыляемого материала и иметь с ним близкий температурный коэффициент линейного расширения. [11]
Материалом подложки могут служить слюда, керамика или другие изоляционные материалы. Материал подложки должен обеспечить хорошую адгезию напыляемого материала и иметь с ним близкий температурный коэффициент линейного расширения. [12]
Материалом подложек служат стекло С48 - 3, С41 - 1, ситалл СТ50 - 1, высокоглиноземистая, бериллиевая и другие типы керамики, синтетический сапфир. В мощных низкочастотных схемах иногда в качестве подложки применяется анодированный алюминий, сочетающий хорошую теплопроводность с высокими диэлектрическими свойствами окисной пленки. [13]
Если материал подложки содержит менее полярные группы чем материал покрытия, то подложка нагревается незначительно. [14]
Структура материала подложки и состояние ее поверхности влияют на параметры пленочных элементов. Большая шероховатость поверхности подложки снижает надежность тонкопленочных резисторов и конденсаторов, так как микронеровности уменьшают толщину резистивных и диэлектрических пленок. При толщине пленок около 100 нм допускается высота микронеровностей примерно 25 нм. Следовательно, обработка поверхности подложки для тонкопленочных микросхем должна соответствовать 14-му классу чистоты. Толстые пленки имеют толщину 10 - 50 мкм, поэтому подложки для тостопленочных ИМС могут иметь микронеровности до 1 - 2 мкм, что соответствует 8 - 10-му классам чистоты. Для обеспечения хорошей адгезии пасты к подложке высота микронеровностей должна быть 50 - 200 нм. [15]
Страницы: 1 2 3 4