Материал - подложка
Cтраница 3
При выборе материала подложки нужно также обращать внимание на его коэффициент теплового расширения. Если коэффициенты расширения пленки и подложки не совпадают при охлаждении ленты с покрытием-от температуры осаждения до температуры окружающей среды, в пленке возникают напряжения. Об этом указывает характер трещин при использовании различных подложек. При осаждении NbsSn на молибден и вольфрам, имеющие меньшие коэффициенты линейного расширения, в пленке возникают остаточные растягивающие напряжения. [31]
При травлении материала подложки может происходит параллельный процесс его осаждения на защитную маску фоторезиста. Этот фактор также в широких пределах может изменять скорость распыления защитной маски. [32]
В качестве материалов подложек применяют высокоомный кремний, полуизолирующий арсенид галлия, керамику с высоким значением диэлектрической проницаемости, а также кварц, ферриты и комбинации перечисленных материалов для составных конструкций. [33]
Высокая плотность материала подложки позволяет исключить интенсивное газовыделение, так как плотные материалы ( сапфир и некоторая керамика) могут быть нагреты до высоких температур и обезгажены более тщательно. [34]
При идентичности материала подложки и наращиваемого слоя, при правильно выбранных технологических режимах эпитаксиальный слой должен быть в кристаллографическом отношении естественным продолжением подложки, включая и все ее несовершенства. [35]
В качестве материала подложки были опробованы сплавы алюминия: Д16АМ и Д16АТ, нержавеющая сталь двух марок, сталь Декопир, латунь. [36]
В качестве материала подложек широко используют также ситалл - стеклоке-рамический материал, получаемый путем специальной термообработки стекла. По своим свойствам он превосходит исходное стекло, его можно прессовать, вытягивать; выдувать, прокатывать и отливать. Ситалл выдерживает резкие перепады температур в воздушной среде ( 700 - г - - 60 С) и обладает высоким электрическим сопротивлением и теплопроводностью. [37]
В качестве материала подложки наиболее часто используют стекло и керамику. Выбор этот обусловлен малой удельной электропроводностью, химической стойкостью и высокой диэлектрической прочностью. Для обеспечения хорошего сцепления пленок с подложкой последние подвергаются тщательной полировке, травлению в кислотах и промывке. Кроме того, перед нанесением пленок подложки очищают путем ионной бомбардировки непосредственно в установке для напыления. [38]
Высокая плотность материала подложки позволяет исключить интенсивное газовыделение, так как плотные материалы ( сапфир и некоторая керамика) могут быть нагреты до высоких температур и обезгажены более тщательно. [39]
В качестве материала подложки наиболее часто используют стекло и керамику. Выбор этих материалов обусловлен малой удельной электропроводностью, химической стойкостью и высокой диэлектрической прочностью. Для обеспечения хорошего сцепления пленок с подложкой последние подвергаются тщательной полировке, травлению в кислотах и промывке. Кроме того, перед нанесением пленок подложки очищают путем ионной бомбардировки непосредственно в установке для напыления. [40]
В качестве материалов подложки используются керамика с высокой диэлектрической проницаемостью, кварц, сапфир, высокоомный кремний, полуйзолирую-щий арсенид галлия, ферриты и различные сочетания перечисленных материалов. Затухание в микрополосковых линиях значительно больше, чем в линиях других типов. [41]
При выборе материала подложек следует учитывать, что коэффициенты термического расширения подложил и осаждаемого материала должны быть близки друг к другу, так как пленка осаждается при повышенной температуре и при охлаждении до комнатной температуры в ней могут возникнуть напряжения, приводящие к разрушению пленки или подложки. [42]
В качестве материала подложки гибридных СВЧ микросхем чаще всего используется керамика на основе окиси алюминия с относительной диэлектрической проницаемостью 9 - 10, хотя находят применение и кристаллические материалы, например сапфир. Размеры подложек гибридных СВЧ микросхем в зависимости от типа схемы варьируются в широких пределах. В качестве примера на рис. 6.15 а показаны некоторые разновидности гибридных СВЧ микросхем. [43]
Учитывая, что материал подложки и тонкая металлическая пленка выдерживают значительные нормальные давления, деформацией пленочной контактной площадки можно пренебречь. [44]
 |
Влияние геометрии проводника и диэлектрической постоянной подложки на. [45] |
Страницы: 1 2 3 4