Cтраница 2
Электропроводность материалов подложки должна быть низкой для уменьшения потерь в тонкопленочных схемах. Электропроводность стекла и керамических материалов в значительной степени зависит от содержания щелочей, что в свою очередь определяет коррозиоустой-чивость подложки. Удельная электропроводность подложки, слагаемая из объемной и поверхностной составляющих, определяется прежде всего второй составляющей. Поверхностная электропроводность особенно заметна в условиях влажной среды. В материалах с содержанием натрия более 4 % наблюдается заметная миграция ионов натрия к поверхности. Образуя с адсорбированной влагой электролит, ионы приобретают способность легко перемещаться под воздействием электрического поля, вследствие чего возрастает поверхностная удельная проводимость и создаются благоприятные условия для коррозии осажденных на подложку пленок. [16]
Выбор материала подложки для выращивания тонких моно-или поликристаллических слоев различных веществ часто определяется не столько кристаллографическими особенностями, сколько его физическими свойствами. [17]
Домены в ортоферрите. [18] |
Влияние материала подложки на магнитные свойства пленки может быть использовано для создания пленки со специальными свойствами. Например, если пленку рассмотренного выше состава осадить на алюминиевую подложку, то ее Я резко возрастет. Поэтому если на диэлектрическую подложку нанести тонкий слой алюминия, н котором вытравить тонкие каналы, а затем осадить сплошной слой магнитной пленки, то в ней образуются магнитные каналы с более низкой коэрцитивной силой, чем в окружающей эти каналы пленке. [19]
Влияние угла связи ф на величины прямых и обратных потерь.| Зависимость прямых и об-ратных потерь от относительного радиуса ферритового диска. [20] |
Влияние материала подложки ед на параметры сочленения иллюстрируются рис. 5.27. При неизменной геометрии и других параметров сочленения увеличение диэлектрической проницаемости подложки приводит к увеличению прямых потерь. Зависимость обратных потерь имеет более сложный характер, однако в области, где уровень прямых потерь лежит в приемлемых пределах, обратные потери также имеют общую тенденцию к росту с увеличением ед. [21]
К материалу подложки предъявляются следующие основные требования: высокое удельное электрическое сопротивление, механическая прочность при небольших толщинах, химическая инертность к осаждаемым веществам, высокая физическая и химическая стойкость при нагревании до нескольких сотен градусов, отсутствие газовыделений в вакууме, хорошая полируемость поверхности и, наконец, нед % фицитность и невысокая стоимость. Кроме того, коэффициент термического расширения материала подложки должен быть по возможности близок к коэффициенту термического расширения напыляемых материалов. [22]
Очень часто материал подложки должен иметь необходимые объемные свойства, однако его поверхность является неудовлетворительной, из-за шероховатости или плохой химической стабильности. В этих случаях улучшение поверхности должно быть достигнуто применением дополнительной операции. [23]
В качестве материала подложки применялись пластины из листовой стали 17ГС толщиной 8 мм, поверхность которых обрабатывалась до Rz - Rz 0 и о 8 о ч классов шероховатости. [24]
В качестве материала подложки обычно применяют кварц из-за его высокой температурной стабильности и слабого взаимодействия волны с электродами. Однако при небольших значениях коэффициента сжатия предпочтительным является материал с сильным пьезоэффектом, например ниобат лития, позволяющий добиться меньших вносимых потерь. [25]
Согласованный фильтр с фиксированной системой кодирования для ФКМ-сигкала. [26] |
В качестве материала подложек обычно выбирают кварц, обеспечивающий хорошую температурную стабильность. [27]
Основная структура резонатора ( с и резонатор на ПАВ, с использованием отражательных решеток ( б. [28] |
В качестве материала подложки обычно выбирают кварц Sr-среза, характеризуемый хорошей температурной стабильностью. [29]
Станнид ниобия, полученный осаждением из газовой фазы на проволоку диаметром 0 018 см из тантала ( а и платины ( б. [30] |