Другой полупроводниковый материал

Cтраница 1

Другие полупроводниковые материалы являются отличными диэлектриками и из них делают карликовые конденсаторы с очень большой емкостью. [1]

Из других полупроводниковых материалов следует отметить важность улучшения системы очистки GaP и InAs. Фосфид галлия является одним из основных материалов для изготовления светодиодов, излучающих в видимой области спектра. [2]

От других полупроводниковых материалов он отличается способностью сохранять высокое электрическое сопротивление при повышенных температурах ( до 280 - 300) и стойкостью к действию кислот, за исключением смеси азотной и плавиковой кислот. Порошкообразный чистый кремний используется в силикотермических способах восстановления металлов ( стр. [3]

От других полупроводниковых материалов он отличается способностью сохранять высокое электрическое сопротивление при повышенных температурах ( до 280 - 300) и стойкостью к действию кислот, за исключением смеси азотной и плавиковой кислот. Порошкообразный чистый кремний используется в силикотермическйх способах восстановления металлов ( стр. [4]

Структуры некогерентных полупроводниковых излучателей. [5]

При использовании других полупроводниковых материалов внутренний квантовый выход составляет иногда только единицы процентов, но и при таких значениях излучение оказывается достаточным для практического использования. [6]

Очистка и получение других полупроводниковых материалов ведется примерно такими же методами. [7]

Диаграмма состояний системы галлий-мышьяк. [8]

Физические свойства многих других полупроводниковых материалов дают возможность более успешно решить вопросы дальнейшего совершенствования полупроводниковых усилительных приборов. [9]

Схема установки для восстановления двуокиси германия. 1 - печь 2 - двуокись германия, 3 - термопара, 4 - графитовый стержень, соединяющий лодочки, 5 - графитовая лодочка, 6 - кварцевая трубка, 7 - камера, охлаждаемая проточной водой, 8 - трубка для выхода водорода, 9 - крышка, 10 - кварцевый тянущий стержень, / / - трубка для ввода. [11]

Металлургические методы очистки германия, а также других полупроводниковых материалов основываются на следующем явлении. Выпадающие при охлаждении из расплавленного полупроводникового материала с некоторым количеством примеси ( жидкая фаза) твердые кристаллики ( твердая фаза) обычно имеют концентрацию примеси, отличающуюся от концентрации ее в расплавленном состоянии. Это объясняется различной растворимостью примеси в жидкой и твердой фазах. [12]

Схема установки для зонной плавки германия.| Схема бестигельной зонной плавки. [13]

У германия, как и у ряда других полупроводниковых материалов, плавление сопровождается, аналогично воде, сжатием. [14]

Корреляционная зависимость между значениями коэффициентов распределения ( k элементов-примесей и максимальной атомарной растворимостью этих примесных элементов в твердом состоянии ( Смакс, в долях в германии ( / и кремнии ( 2. [15]

Страницы: 1 2 3 4