Другой полупроводниковый материал

Cтраница 4

Вполне реальными для широкого практического освоения в ближайшем будущем являются процессы получения высококачественных монокристаллических слоев кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов на изолирующих ( в том числе некристаллических) подложках большой площади, а также процессы эпитаксиального выращивания многослойных гетерокомпозиций типа металл-диэлектрик-полупроводник. В последнем случае, помимо традиционных эпитаксиальных технологий, целесообразно использовать интенсивно разрабатываемые в последние годы процессы создания скрытых проводящих и диэлектрических слоев, путем высокодозовой ионной имплантации ( ионного синтеза) и последующего термического отжига. Успешная реализация последних требует детального исследования закономерностей дефектообразования и механизма протекающих процессов на различных этапах ионного синтеза и последующей твердотельной эпитаксии. Пока такого рода исследования проводятся в основном в применении к кремнию. [46]

Энергетическая циальных ямах. Различие показателей диаграмма полупроводнике - преломления ( диэлектрических прони-вого инжекционного лазера ч - г.| Конструкция полупроводникового инжекцион. [47]

Для изготовления инжекционных лазеров используют арсенид галлия, твердые растворы арсенид-фосфид галлия GaAsi - jP, арсенид индия, фосфид индия и другие полупроводниковые материалы. [48]

Если исследования по геттерированию загрязняющих примесей из активных областей кремниевых приборных структур успешно ведутся уже на протяжении многих лет, то для других полупроводниковых материалов ( за редким исключением) эти работы находятся практически на начальном этапе и нуждаются в серьезной интенсификации. [49]

Помимо поликристаллического и аморфного кремния, а также сульфидов меди и кадмия, уже применяемых для изготовления тонкопленочных солнечных элементов, существует несколько других полупроводниковых материалов, таких как GaAs, CdTe, InP, Zn3P2, CdSe, Cu2Se, CuInSe2, ZnIn2Se4 и Cu2O, на основе которых могут быть созданы высокоэффективные тонкопленочные фотоэлектрические преобразователи. Арсе-нид галлия и теллурид кадмия привлекли внимание исследователей еще в 60 - е годы, однако из-за отсутствия уверенности в возможности получения этих материалов в необходимом количестве их изучением занимались лишь в нескольких лабораториях. В последнее время наблюдается возобновление интереса к солнечным элементам на основе GaAs и CdTe. Фосфид цинка ZnsP2 привлекает внимание как материал, в состав которого входят широко распространенные в природе химические элементы. Этой причиной обусловлен интерес и к органическим полупроводникам, имеющим к тому же очень низкую стоимость. Высокоэффективные тонкопленочные солнечные элементы получены на основе лишь двух из перечисленных соединений - CuInSe2 и CdTe, причем наибольшими КПД, равными соответственно 10 и 8 %, обладают элементы с гетеропереходами, в состав которых входит сульфид кадмия, образующий оптическое окно. Определенные успехи достигнуты и при создании элементов на основе других материалов, однако они не столь существенны. [50]

Такая последовательность операций в планарной технологии полупроводниковых приборов является универсальной и в принципе может быть применена не только для кремния, но и для других полупроводниковых материалов. [51]

Такая последовательность операций в планарной технологии полупроводниковых приборов является универсальной и в принципе мо-4 жет быть применена не только для кремния, но и для других полупроводниковых материалов. [52]

Исследования, ведущиеся в мире последние годы, показали, что этим требованиям лучше всего удовлетворяют аморфные сплавы на основе прежде всего кремния, а также других полупроводниковых материалов. [53]

При эпитаксиальном выращивании из паровой фазы создаются такие условия, при которых один из полупроводниковых материалов, содержащихся в паровой фазе, конденсируется на кристаллической подложке из другого полупроводникового материала. [54]

Структура полупроводникового лазера ( а и схема процесса образования фотонной лавины в резонаторе ( б. 1 - активная область лазера. 2 - отражающие поверхности кристалла. [55]

Для изготовления инжекционных лазеров используют арсенид галлия, твердые растворы арсенид-фосфида галлия Оа ( Аз1 - хРж), арсенид индия, антимонид индия, фосфид индия и другие полупроводниковые материалы. [56]

Фрагмент полупроводникового лазера с полосковой геометрией и двойным гетеропереходом. [57]

В данном разделе обсуждение лазеров и их характеристик будет касаться главным образом полупроводникового ДГ-ла-зсра на GaAs, поскольку в настоящее время это наиболее широко применяемый диодный лазер, однако мы приведем также некоторые данные по другим полупроводниковым материалам для лазеров ( например, InGaAsP), а также по устройствам на гомопереходе. [58]

Наиболее широко применяемым материалом для изготовления БИС является кремний. Другой полупроводниковый материал - GaAs позволяет на тех же приборах с одинаковыми размерами получить большее быстродействие по сравнению с Si. На основе GaAs созданы элементы, построенные на эффекте Джозефсона, которые, как ожидается, будут выигрывать по быстродействию у кремниевых приборов. В настоящей главе рассмотрены основные особенности БИС на основе полупроводников группы AIHBV, а также на эффекте Джозефсона. [59]

Страницы: 1 2 3 4