Другой полупроводниковый материал
Cтраница 2
По-видимому, аналогичная корреляция возможна и для других полупроводниковых материалов. [16]
 |
Структура кристал - СТЭЛЛа.| Конструкция ЛПД. [17] |
Кремний обладает наилучшей теплопроводностью по сравнению с другими полупроводниковыми материалами. [18]
Следует отметить, что, как и в других полупроводниковых материалах ( см. гл. [19]
Для изготовления элементов Холла используют германий, кремний и другие полупроводниковые материалы. [20]
Эпитаксия на посторонних подложках, изолирующих, металлических или других полупроводниковых материалов, открывает большие возможности для разработки новых типов полупроводниковых приборов. [21]
Иногда для создания позисторов используют монокристаллические кремний, германий и другие полупроводниковые материалы. Принцип действия таких позисторов основан на уменьшении подвижности носителей заряда с увеличением температуры в результате увеличения их рассеяния на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. [22]
Поэтому в ближайшее время мала вероятность полной замены кремния на другой полупроводниковый материал при производстве большинства диодов, биполярных транзисторов и интегральных микросхем. Для такой замены необходимы существенные преимущества в свойствах, параметрах и характеристиках приборов, а также в экономичности производства этих приборов. Среди них есть материалы с большой шириной запрещенной зоны ( по сравнению с кремнием) и отличающиеся также большей подвижностью носителей заряда. Это, в первую очередь, относится к арсениду галлия. [23]
Иногда для создания позисторов используют монокристаллические кремний, германий и другие полупроводниковые материалы. Принцип действия таких позисторов основан на уменьшении подвижности носителей заряда с увеличением температуры в результате увеличения их рассеяния на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. Так, позисто-ры, изготовленные из монокристаллического кремния с малой концентрацией примесей ( 1015 - 1017 см 3), могут иметь температурный коэффициент сопротивления ( 0 7 - 1) - 10 - 2 К 1 с положительным знаком в диапазоне температур от 20 до / - 100 С. [25]
Иногда для создания позисторов используют монокристаллические кремний, германий и другие полупроводниковые материалы. Принцип действия таких позисторов основан на уменьшении подвижности носителей заряда с увеличением температуры в результате увеличения их рассеяния на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. [26]
 |
Основные параметры некоторых туннельных диодов.| Конструкция туннельных диодов патронного ( а и таблеточного ( б. [27] |
Туннельные диоды изготовляют на основе германия, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. [28]
Туннельные диоды изготавливают на основе германия, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. [29]
Образование второй фазы в германии, кремнии и в ряде других полупроводниковых материалов связано с температурной зависимостью растворимости в твердой фазе полупроводников таких элементов, как медь, золото, железо. Эти металлы, кроме того, обладают достаточно высокой подвижностью при температурах диффузии, что приводит к диффузии этих примесей на всю глубину пластин при реальных временах процессов. [30]
Страницы: 1 2 3 4