Другой полупроводниковый материал

Cтраница 3

Основой современного полупроводникового прибора служит пластинка германия, кремния или другого полупроводникового материала. Ее называют базой и изображают толстой чертой подобно символу катода диода. Если у базы выводы сделаны от нескольких участков ее, то это разрешается указывать линиями, подходящими к этому символу с обеих сторон. [31]

Фоторезист KMER предназначен для глубокого травления металлов, фотофрезерования кремния и других полупроводниковых материалов, для межслойной изоляции в многослойных схемах. [32]

Параметры некоторых типов отечественных фотодиодов. [33]

Разработаны новые фотодиоды на основе арсенида галлия, ан-тимоннда индия и других полупроводниковых материалов. Они имеют более широкие спектральные характеристики с границей около 4 5 - - 5 5 мкм. Постоянные времени таких фотодиодов более Ю-6 с. Однако при работе температура светочувствительной поверхности не должна превышать 76 К. [34]

Инерционность фотодиодов.| Структура фотодиода типа p - i - n. [35]

Разработаны новые фотодиоды на основе арсенида галлия, антимо-нида индия и других полупроводниковых материалов. Они имеют более широкие спектральные характеристики с границей около 4 5 - 5 5 мкм. [36]

Вольтамперная характеристика. [37]

Для изготовления туннельных диодов применяется германий, кремний, арсенид галлия и другие полупроводниковые материалы. [38]

Шлифовку и полировку широко используют при первичной обработке пластин из кремния и других полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении подложек микросхем. [39]

Применяют и другие окислы, а также сульфиды, селениды, теллуриды и другие полупроводниковые материалы. Эти терморезисторы обладают более высокой чувствительностью и более низкой тепловой инерцией по сравнению с проволочными резисторами. Влияние удлинительных проводов в этом случае также не сказывается на результатах измерения. Однако свойства терморезисторов ( воспроизводимость характеристик) в сильной степени зависит от технологии производства и наличия примесей. [40]

Данные табл. 5.3 могут быть использованы и для оценки чувствительности при послойном анализе других полупроводниковых материалов. [41]

Акцепторными примесями, широко применяемыми в технологии изготовления диффузионных структур в кремнии и других полупроводниковых материалах, являются бор и галлий. В ряде случаев используют алюминий. [42]

Технология прямого соединения пластин открывает реальные возможности и для создания сложных приборных структур с участием других полупроводниковых материалов, в том числе на основе гетерокомпози-ций, получение которых эпитаксиальными методами сталкивается с принципиальными затруднениями. [43]

В настоящее время туннельные диоды изготовляются на основе германия, кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. [44]

В полупроводниковой промышленности аргон высокой чистоты применяют как защитную среду в производстве искусственных монокристаллов титана, бария и других полупроводниковых материалов. [45]

Страницы: 1 2 3 4