Исходный полупроводниковый материал

Cтраница 1

Исходный полупроводниковый материал, а также технология изготовления транзисторов в значительной мере определяют их характеристики и параметры. В зависимости от используемого материала транзисторы классифицируют на германиевые и кремниевые, а по технологии изготовления - на сплавные, диффузионные, планарные и планарно-эпитаксиаль-ные. [1]

Исходный полупроводниковый материал для тиристоров должен иметь большую ширину запрещенной зоны. Тиристоры ( как и другие полупроводниковые приборы) на основе широкозонного полупроводника имеют, во-первых, большее значение максимальной рабочей температуры, а следовательно, и максимально допустимой плотности тока в открытом состоянии. Во-вторых, при прочих равных условиях пробивное напряжение выше, что дает возможность делать тиристоры с большим значением напряжения включения и максимально допустимого обратного напряжения. В-третьих, при прочих равных условиях значительно меньший обратный ток через p - n - переходы, смещенные в обратном направлении ( например, / КБО), что обусловливает меньшую мощность, рассеиваемую в тиристоре при закрытом его состоянии и при обратном напряжении. В-четвертых, меньшее значение коэффициента передачи тока эмиттера транзисторных структур, составляющих тиристор, при малых токах ( сильнее влияет рекомбинация носителей заряда в эмиттерных переходах) обеспечивает резкую зависимость суммарного коэффициента передачи тока тиристора и более жесткую характеристику его переключения. [2]

Исходный полупроводниковый материал для тиристоров должен иметь большую ширину запрещенной зоны. Тиристоры ( как и другие полупроводниковые приборы) на основе широкозонного полупроводника имеют, во-первых, большее значение максимальной рабочей температуры, а следовательно, и максимально допустимой плотности тока в открытом состоянии. Во-вторых, при прочих равных условиях пробивное напряжение выше, что дает возможность делать тиристоры с большим значением напряжения включения и максимально допустимого обратного напряжения. В-третьих, при прочих равных условиях значительно меньший обратный ток через / э-п-переходы, смещенные в обратном направлении ( например, / КБО), что обусловливает меньшую мощность, рассеиваемую в тиристоре при закрытом его состоянии и при обратном напряжении В-четвертых, меньшее значение коэффициента передачи тока эмиттера транзисторных структур, составляющих тиристор, при малых токах ( сильнее влияет рекомбинация носителей заряда в эмиттерных переходах) обеспечивает резкую зависимость суммарного коэффициента передачи тока тиристора и более жесткую характеристику его переключения. [3]

Обычно исходный полупроводниковый материал выбирают, исходя из значений объемного удельного сопротивления, объемного времени жизни неосновных носителей заряда, скорости поверхностной рекомбинации, однородности и геометрических размеров. [4]

Исходным полупроводниковым материалом при изготовлении силовых кремниевых вентилей служит монокристаллический кремний с электронной проводимостью. Для создания р-п перехода в пластинку, вырезанную из такого монокристалла, вводятся легирующие элементы ( примеси) - бор, алюминий, фосфор и др., которые сообщают слою полупроводника дырочную проводимость. [5]

Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, так же как и для выпрямительных диодов Шотки, кремний или арсенид галлия. Но предпочтение здесь должно быть отдано арсениду галлия, так как в этом материале время жизни неосновных носителей заряда может быть менее 10 - 9 с. Несмотря на практическое отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через переход Шотки при его включении в прямом направлении ( что уже было отмечено ранее), при больших прямых напряжениях и плотностях прямого тока существует, конечно, некоторая состав ляющая прямого тока, связанная с ин-жекцией неосновных носителей заряда в полупроводник. [6]

Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, так же как и для выпрямительных диодов Шотки, кремний или арсенид галлия. Но предпочтение здесь должно быть отдано арсениду галлия, гак как в этом материале время жизни неосновных носителей заряда может быть менее 10 - 9 с. Несмотря на практическое отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через переход Шотки при его включении в прямом направлении ( что уже было отмечено ранее), при больших прямых напряжениях и плотностях прямого тока существует, конечно, некоторая состав ляющая прямого тока, связанная с ин-жекцией неосновных носителей заряда в полупроводник. [7]

Структура точечного. [8]

Основным исходным полупроводниковым материалом при этом служит кремний, а иногда и арсенид галлия. [9]

Схематическое устройство плоскостного диода. [10]

По исходному полупроводниковому материалу диоды делятся на германиевые, кремниевые и диоды из арсенида галлия. Германиевые приборы могут работать в диапазоне температур от - 60 до 70 - 85 С, кремниевые от - 60 до 120 - 150 С, из арсенида галлия от - 60 до 250 С. [11]

По исходному полупроводниковому материалу различают германиевые, кремниевые транзисторы и транзисторы из арсенида галлия. [12]

Семейства входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ ( а и ОЭ ( б. [13]

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы подразделяются на две разновидности: германиевые и кремниевые. Кремниевые можно применять при температурах до 85 - 125 С и, кроме того, они отличаются минимальными значениями обратных токов. [14]

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы делятся на германиевые и кремниевые. [15]

Страницы: 1 2 3 4