Cтраница 4
С повышением температуры уменьшается ширина запрещенной зоны арсенида галлия и германия - основных исходных полупроводниковых материалов для туннельных диодов Уменьшение ширины запрещенной зоны приводит к уменьшению толщины потенциального барьера, сквозь который туннели-руют электроны, при этом вероятность туннелирования растет. Туннельная составляющая тока и, в частности, пиковый ток увеличиваются. [46]
С повышением температуры уменьшается ширина запрещенной зоны арсенида галлия и германия - основных исходных полупроводниковых материалов для туннельных диодов. Уменьшение ширины запрещенной зоны приводит к уменьшению толщины потенциального барьера, сквозь который туннели-руют электроны, при этом вероятность туннелирования растет. Туннельная составляющая гока и, в частности, пиковый ток увеличиваются. [47]
С повышением температуры уменьшается ширина запрещенной зоны арсенида галлия и германия - основных исходных полупроводниковых материалов для туннельных диодов. Уменьшение ширины запрещенной зоны приводит к уменьшению толщины потенциального барьера, сквозь который туннелируют электроны, при этом вероятность туннелирования растет. Туннельная составляющая тока и, в частности, пиковый ток увеличиваются. [48]
Спектральная характеристика фотодиодов также определяется со стороны больших длин волн шириной запрещенной зоны исходного полупроводникового материала, при малых длинах волн - большим показателем поглощения и увеличением влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда с уменьшением длины волны квантов света. Таким образом, коротковолновая граница фоточувствительности фотодиода зависит от толщины базы и от скорости поверхностной рекомбинации. [49]