Исходный полупроводниковый материал
Cтраница 3
Первый элемент-буква или цифра обозначает исходный полупроводниковый материал: Г или 1-германий и его соединения; К или 2 - кремний и его соединения; А или 3 - соединения галлия. [31]
По этой причине важным свойством исходного полупроводникового материала таких приборов является его радиационная стойкость. [32]
Первый элемент обозначения полупроводниковых приборов определяет исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен прибор. [33]
Предотвратить загрязнение особо чистых веществ и исходных полупроводниковых материалов в период с момента их получения до использования в производстве представляет гораздо более трудную задачу, чем достижение первоначальной чистоты. Это связано с тем, что исключить контакт вещества с окружающей средой ( материал контейнера и аппаратуры, атмосфера, реагенты и др.) невозможно. Поэтому в технологии полупроводниковых материалов используют контейнерные материалы, обладающие высокой чистотой и инертностью ( нержавеющая сталь, графит, кварц, фторопласт и др.), высокочистые реактивы ( кислоты, щелочи, органические соединения и др.), газы и воду. [34]
Вместе с тем, значения электрофизических характеристик исходных полупроводниковых материалов в процессе изготовления полупроводниковых приборов нередко претерпевают значительные изменения в результате термообработки, диффузии примесей и других причин. [35]
 |
Диаграммы, характеризующие тепловую устойчивость транзистора. [36] |
Существует два типа силовых транзисторов, различающихся исходным полупроводниковым материалом: германиевые и кремниевые. [37]
Первый элемент - буква или цифра - обозначает исходный полупроводниковый материал: Г или 1-германий, К или 2 - кремний, А или 3-арсенид галлия. [38]
Общей чертой всех рассмотренных дефектов, содержащихся в исходном полупроводниковом материале, является то, что при прочих равных условиях вероятность их нахождения в полупроводниковой структуре пропорциональна площади структуры, поэтому снижение общего уровня подобных дефектов в монокристаллах полупроводника способствует увеличению площади транзисторных структур. [39]
При изготовлении транзисторов по единой технологии в силу разброса электрофизических параметров исходных полупроводниковых материалов, разброса технологических режимов и наличия большого числа случайных факторов изготавливаемые транзисторы, как правило, имеют существенный разброс основных параметров. Поэтому транзисторы классифицируются ( подразделяются на группы) по интервальным значениям параметров или их сочетанию. Параметры, по которым производится такое подразделение, называются классификационными. Система классификационных параметров может быть различной для транзисторов различных функциональных назначений. ГР - аналог ил ( см. § 2.2.4) ( или другие предельно допустимые напряжения), коэффициент передачи тока базы для большого / i2iэ и малого Л2 Э сигналов, постоянный обратный ток коллектора / КБО при разомкнутой цепи база - эмиттер. [40]
 |
Структура точечного. [41] |
Для получения достаточно больших значений пробивного напряжения p - n - перехода исходный полупроводниковый материал должен иметь большое удельное сопротивление. Но при этом будет велико и сопротивление растекания ( сопротивление базы точечного диода), что приведет к увеличению прямого напряжения на диоде. [42]
В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора, пятый элемент - буква, условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. [43]
В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. [44]
В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа прибора, пятый элемент - буква, условно определяет классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. [45]
Страницы: 1 2 3 4