Cтраница 2
По исходному полупроводниковому материалу диоды делятся на германиевые, кремниевые и диоды из арсенида галлия. [16]
По исходному полупроводниковому материалу выпускаемые в настоящее время транзисторы делятся на германиевые и кремниевые. Транзисторы, изготовленные на основе кремния, допускают работу при температурах до 120 - 150 С, в то время как у германиевых транзисторов наивысшая рабочая температура не превышает 70 - 85 С. [17]
В качестве исходного полупроводникового материала для изготовления силовых транзисторов используют германий и кремний. [18]
В качестве исходного полупроводникового материала для стабилитронов с туннельным пробоем чаще всего используется кремний, для обращенных диодов - германий, кремний и антимонид галлия, для туннельных - германий, кремний, антимонид галлия и арсенид галлия. Наиболее распространенным методом получения туннельных р-п переходов является сплавление, иногда в сочетании с эпитаксиальным наращиванием слоя сильно легированного полупроводника. [19]
По типу исходного полупроводникового материала диоды делятся на кремниевые, германиевые и диоды из арсе-нида галлия. Реже применяются другие полупроводниковые материалы: селен, карбид кремния. Большинство современных полупроводниковых диодов изготавливаются на основе кремния. [20]
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. [21]
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. [22]
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. [23]
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. [24]
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, па основе которого изготовлен транзистор. [25]
В зависимости от исходного полупроводникового материала диоды подразделяют на две группы: германиевые и кремниевые. Последние получили наибольшее распространение, поскольку имеют во много раз меньшие обратные токи и большие обратные напряжения по сравнению с германиевыми диодами. Германиевые диоды целесообразно применять при низких напряжениях, поскольку при одинаковых токах падение напряжения на германиевом диоде, смещенном в прямом направлении, меньше, чем на кремниевом диоде. [26]
Первый элемент обозначения определяет исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен прибор. Для приборов устройств широкого применения обозначение исходного материала производится буквами: Г - германий или его соединения, К - кремний или его соединения, А - соединения галлия. [27]
В зависимости от типа исходного полупроводникового материала различают германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые приборы. Первый элемент буквенно-цифрового обозначения полупроводникового прибора указывает в соответствии с ОСТ 11.336.919 - 81 тип материала: Г или 1-для германия; К или 2-для кремния; А или 3-для арсенида галлия. Второй элемент обозначения указывает на класс прибора. Основные классы полупроводниковых приборов: Т - транзисторы биполярные; П - транзисторы полевые; Д - диоды выпрямительные; С - стабилитроны; Н - диодные тиристоры; У-триодные тиристоры. [28]
В зависимости от типа исходного полупроводникового материала различают германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые приборы. Первый элемент буквенно-цифрового обозначения полупроводникового прибора указывает в соответствии с ОСТ 11.336.919 - 81 тип материала: Г или 1 - для германия; К или 2 - для кремния; А или 3 - для арсенида галлия. Второй элемент обозначения указывает на класс прибора. Основные классы полупроводниковых приборов: Т - транзисторы биполярные; П - транзисторы полевые; Д - диоды выпрямительные; С - стабилитроны; Н - диодные тиристоры; У - триодные тиристоры. [29]
Естественно, что к исходному полупроводниковому материалу каждого прибора предъявляются требования, связанные с принципом действия и условиями работы этого прибора. Так, солнечные батареи должны длительное время работать в условиях космической радиации. По этой причине необходимым свойством исходного полупроводникового материала таких приборов является его радиационная стойкость. Радиационные дефекты, возникающие в полупроводнике при облучении, уменьшают диффузионную длину и время жизни неосновных носителей заряда, что отрицательно сказывается на основных параметрах фоточувствительных и фотопреобразовательных полупроводниковых приборов. Радиационная стойкость фотопреобразователей на основе арсенида галлия более высокая, чем кремниевых преобразователей. Экспериментально выявлена в несколько раз большая радиационная стойкость к облучению электронами и протонами фотоэлементов на основе кремния с р-типом электропроводности, чем на Основе кремния с - типом электропроводности. [30]