Монокристаллический материал

Cтраница 1

Монокристаллические материалы составляют основу современной полупроводниковой и вычислительной техники, оптических квантовых генераторов, методов голографии. Искусственные монокристаллы получают различными способами из расплавов, рас-твород. В первом твердотельном х ьере, построенном в 1960 г., в качестве рабочего элемента использован монокристалл рубина. Присутствие ионов хрома придает кристаллам корунда красную окраску. При повышении количества хрома окраска становится уже ярко-красной, а в дальнейшем переходит в зеленую. Кристаллы рубина по своим физико-химическим свойствам в определенной степени уникальны и отвечают всем требованиям, предъявляемым к материалам для ОКГ. Они обладают высокой теплопроводностью, что позволяет избежать их саморазогрева во время работы, имеют высокую оптическую и механическую однородность, исключающую паразитное поглощение и рассеяние энергии, обладают высокой термической, механической и химической стойкостью. Монокристалл рубина для ОКГ должен быть длиной от 50 до 300 мм и диаметром 5 - 25 мм. Кристаллы такого размера получают синтетическим путем. Одним из наиболее распространенных методов синтеза монокристаллов рубина остается способ, предложенный в 1891 г. Вернейлем. [1]

Монокристаллические материалы составляют основу современной полупроводниковой и вычислительной техники, оптических квантовых генераторов, методов голографии. В первом твердотельном х / ооре, построенном в 1960 г., в качестве рабочего элемента использован монокристалл рубина. Присутствие ионов хрома придает кристаллам корунда красную окраску. При повышении количества хрома окраска становится уже ярко-красной, а в дальнейшем переходит в зеленую. Кристаллы рубина по своим физико-химическим свойствам в определенной степени уникальны и отвечают всем требованиям, предъявляемым к материалам для ОКГ. Они обладают высокой теплопроводностью, что позволяет избежать их саморазогрева во время работы, имеют высокую оптическую и механическую однородность, исключающую паразитное поглощение и рассеяние энергии, обладают высокой термической, механической и химической стойкостью. Монокристалл рубина для ОКГ должен быть длиной от 50 до 300 мм и диаметром 5 - 25 мм. Кристаллы такого размера получают синтетическим путем. Одним из наиболее распространенных методов синтеза монокристаллов рубина остается способ, предложенный в 1891 г. Вернейлем. [2]

Монокристаллические материалы составляют основу современной полупроводниковой и вычислительной техники, оптических квантовых генераторов, методов голографии. В первом твердотельном х / оере, построенном в 1960 г., в качестве рабочего элемента использован монокристалл рубина. Присутствие ионов хрома придает кристаллам корунда красную окраску. При повышении количества хрома окраска становится уже ярко-красной, а в дальнейшем переходит в зеленую. Кристаллы рубина по своим физико-химическим свойствам в определенной степени уникальны и отвечают всем требованиям, предъявляемым к материалам для ОКГ. Они обладают высокой теплопроводностью, что позволяет избежать их саморазогрева во время работы, имеют высокую оптическую и механическую однородность, исключающую паразитное поглощение и рассеяние энергии, обладают высокой термической, механической и химической стойкостью. Монокристалл рубина для ОКГ должен быть длиной от 50 до 300 мм и диаметром 5 - 25 мм. Кристаллы такого размера получают синтетическим путем. Одним из наиболее распространенных методов синтеза монокристаллов рубина остается способ, предложенный в 1891 г. Вернейлем. [3]

Монокристаллические материалы обладают максимальными пироэлектрическими свойствами. Пироэлектрические преобразователи вырезаются из монокристалла перпендикулярно полярной оси. [4]

Монокристаллические материалы используются обычно в тех областях техники, где необходимы не только уникальные значения свойств, которые может обеспечить лишь малодефектная структура монокристалла, но и уникальная однородность этих значений по объему изделия с учетом анизотропии. Основную массу монокристаллов различного химического состава потребляют микроэлектроника, оптоэлектроника, лазерная и атомная техника. Подавляющее большинство этих монокристаллов относится к полупроводниковым и диэлектрическим материалам. Монокристаллические металлы с высокой степенью чистоты до последнего времени практически не использовались в технике. Однако в настоящее время высокие технологии, например, получения металлических пленок, требуют, чтобы мишени для установок напыления были монокристаллически и. В противном случае скорость напыления резко меняется при испарении материала мишени на границе зерен, и качество получаемой пленки снижается. [5]

Из монокристаллических материалов к числу перспективных для использования в фильтрах ПАВ можно отнести танталат лития LiTaO3 германат висмута Bii2GeO2o, парателлурид ТеО2, селен Se, а также пленки окиси цинка ZnO, и нитрида алюминия A1N на сапфире и некоторые другие. Танталат лития LiTaO3 является пока единственным материалом, в котором высокая пьезоэлектрическая активность сочетается с хорошей термостабильностью. Поэтому LiTaO3 в первую очередь представляет интерес для термостабильных фильтров. Германат висмута Bi GeC o является подходящим материалом для линий задержки на большие длительности из-за очень низкой скорости распространения ПАВ и для фильтров со сложной встречно-штыревой структурой благодаря относительно большим размерам выпускаемых кристаллов. [6]

Использование монокристаллических материалов в современной технике, как известно, не ограничивается полупроводниками. Большое значение имеют монокристаллы кварца и других веществ в квантовой электронике и радиотехнике. [7]

Существует ряд монокристаллических материалов, которые можно использовать в качестве ферромагнитных резонаторов в фильтрах свч с магнитной перестройкой. [8]

Подложки из монокристаллических материалов типа сапфира ( а - А12Оз), кремния и германия получаются разрезанием больших кристаллов ( слитков) на пластины. Большинство кристаллов выращено по методу Чохральского, когда маленький затравочный кристалл касается поверхности расплавленного материала подложки и медленно вытягивается. Поскольку затравка несколько холоднее расплава, последний затвердевает, образуя монокристалл большего размера. В настоящее время таким способом получают кремниевые кристаллы диаметром 5 - 7 см и длиной 30 см, но могут быть получены кристаллы и больших размеров. [9]

Наиболее перспективными являются монокристаллические материалы, особенно синтетический сапфир. [10]

Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи диффузии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в раз -, личных участках пластины полупроводникового материала, создаются, диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [11]

Наиболее перспективными являются монокристаллические материалы и, в частности, синтетический сапфир. [12]

Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи диффузии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в различных участках пластины полупроводникового материала, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем. [13]

Совмещенные элементы с р - л-переходами. [14]

У элементов из монокристаллического материала с большим сопротивлением ( например, из легированного соответствующим образом кремния) сплошные конструкции ( рис. 3.83 3) также обеспечивают достаточно высокие номинальные сопротивления. [15]

Страницы: 1 2 3 4