Монокристаллический материал

Cтраница 2

Таким образом, перспектива использования тугоплавких монокристаллических материалов требует более глубоких знаний в области высокотемпературной кристаллизации. Так как данная область охватывает практически все вопросы кристаллизации, то знания, полученные при ее исследовании, справедливы для других разновидностей кристаллообразования. [16]

Схема установки для выращивания монокристаллов по методу Чохральского. [17]

При изготовлении большинства полупроводниковых элементов применяют монокристаллические материалы. Это объясняется тем, что подвижность и время жизни свободных носителей заряда в монокристаллах выше, чем в поликристаллическом материале, который к тому же обладает и значительной неоднородностью свойств. [18]

Технологическая схема производства оптического волокна. [19]

Помимо этого используются поли - и монокристаллические материалы, полые световоды и пластичные полимерные материалы. В процессе производства необходимо предусмотреть меры для предотвращения попадания в стекло примесей из окружающей среды. [20]

Схема установки для. [21]

При изготовлении большинства полупроводниковых приборов применяют монокристаллические материалы. Это объясняется тем, что подвижность и время жизни свободных носителей заряда в монокристаллах выше, чем в поликристаллическом материале, который к тому же обладает и значительной неоднородностью свойств. [22]

Распределения электрических полей азимутальных колебаний в резонаторе. [23]

Диэлектрические резонаторы АК, изготовленные из монокристаллических материалов с анизотропией е ( сапфир, кварц и др.), представляют большой интерес, поскольку могут иметь уникально высокие добротности. Рассмотрим основные особенности ДР АК, изготовленных из одноосных кристаллов. [24]

Чувствительные элементы фоторезисторов на основе InSb изготавливаются из монокристаллического материала р-типа в виде пластин. Чувствительные элементы фоторезисторов, где используется примесная фотопроводимость в германии, изготавливаются в виде кубиков или параллелепипедов размером до нескольких миллиметров. Так как величина коэффициента поглощения примесной области намного меньше, чем в собственной, такие размеры чувствительных элементов позволяют более полно использовать воспринимаемое фоторезистором излучение. Контакты к чувствительным элементам из InSb и легированного германия изготавливаются обычно из золота, которое наносится электролитически или путем испарения в вакууме. [25]

Структура ИС на элементах Джозефсона. 1 - защитный слой на лицевой поверхности. 2-туннельный окисный слой РЬО / 1п203 ( 6 нм. 3 - сверхпроводящая разводка РЬ-In-Au ( 800 нм. 4 - сверхпроводящее заземление. [26]

Следует отметить, что джозефсоновские ИС не требуют применения монокристаллических материалов и формируются главным образом с использованием тонкопленочной технологии. Следовательно, имеются большие возможности для создания трехмерных ИС на эффекте Джозефсона. [27]

Этот путь приводит к образованию компактного поли - или монокристаллического материала с десорбированными газами. [28]

Анизотропия температурной зависимости электросопротивления монокристаллического иттрия.| Зависимости р ( Т для монокристалла WCb вдоль кристаллографических направлений с максимальной и минимальной проводимостью. Сплошные линии - это прямые предельной формы закона Грюнайзена. Для сопротивления при направлении тока J a коэффициент а получен в предположении, что справедлива формула ( 1Д5 и что psh. [29]

В свете существования насыщения сопротивления интересна эволюция анизотропии сопротивления в монокристаллических материалах. [30]

Страницы: 1 2 3 4