Монокристаллический материал

Cтраница 3

При определенных сочетаниях температуры и ориентировки такие фасетки, особенно в монокристаллическом материале, лишенном зернограничного стеснения, действительно могут быть очень крупны. [31]

Период решетки наноматериалов часто отличается от такового для обычных поли - и монокристаллических материалов. В табл. 2.5 приведены результаты определения изменений периодов решетки нанообъектов, полученных разными методами. [32]

Столь интенсивное развитие этой области физики в значительной степени обязано возрастающей роли монокристаллических материалов в самых передовых областях современной техники. К таким материалам предъявляются высокие требования в отношении совершенства их кристаллической структуры, о чем рентгеновская дифракция дает богатейшую информацию. [33]

Ориентации, отличные от ( 100), могут быть получены при подборе соответствующего монокристаллического материала. Например, скол грани CaF2 и Zn имеет ориентацию ( 111) и ( ПО) соответственно. Различные ориентации йогут быть получены при резке монокристалла параллельно требуемой кристаллографической плоскости. Посла резки поверхность кристалла шлифуется, механически полируется, затем травится соответствующими травителямн. Такой процесс обычно используется при подготовке монокристаллических подложек, таких как: кремний, германий, сапфир и шпинель. Требуемая чистота поверхности подложек может достигаться несколькими способами. Когда поверхность подложки получена путем скола на воздухе, она обычно имеет некоторые повреждения, которые могут быть удалены при термообработке в вакууме. Однако такая обработка сопровождается травлением поверхности. Мэтьюз и Грюнбаум [43] отмечают, что использование в качестве подложки травленой поверхности не обеспечивает кристаллографической ориентации пленок, получаемых вакуумным осаждением. [34]

Термин эпитаксия впервые был введен в техническую литературу около 50 лет назад для обозначения процесса ориентированного наращивания монокристаллического материала на монокристалл-подложку. [35]

Межкристаллитные потенциальные барьеры являются препятствием для прохождения носителей заряда в поликристаллических слоях и в ряде случаев значительно снижают подвижность носителей по сравнению с монокристаллическими материалами. В пленках, толщина которых сравнима с размером зерен, межзеренные потенциальные барьеры оказывают более существенное влияние на проводимость в плоскости, параллельной пленке, чем поперек нее. [36]

Статическая ВАХ пленочного диода на основе In-CdS - Те ( / - прямое смещение. 2 - обратное смещение. [37]

В настоящее время не созданы пленочные активные элементы, сравнимые по своим параметрам с биполярными, МДП - и полевыми транзисторами, изготовленными на основе монокристаллических материалов кремния, германия и др. Поэтому пленочные активные элементы не нашли применения. [38]

Однако перспективность криохимической технологии состоит не только в изготовлении магнитных материалов с воспроизводимыми свойствами, но и в возможности применения ее для синтеза разнообразной керамики с электрическими, каталитическими, химическими, оптическими, механическими и другими функциями, а также сырья для получения монокристаллических материалов и пленок. [39]

Рассмотрены физико-химические аспекты формирования кристаллической структуры в монокристаллах гетерофазных сплавов и механизмы их деформации. Изложены основы деформационного упрочнения монокристаллических материалов с привлечением данных электронно-микроскопических исследований о дислокационной структуре. Дан анализ существующих моделей упрочнения гетерогенных сплавов. [40]

Если эффекты, связанные с наличием твердых поверхностных покрытий, в том числе и окисных пленок, удается довольно четко зафиксировать на монокристаллах, то при испытаниях поликристаллических образцов часто получают противоречивые результаты. Причины различного поведения поли кристаллических и монокристаллических материалов под действием твердых поверхностных пленок связаны с влиянием границ зерен. Так, Гилман [7] и Гарофа-ло [14] высказали предположение, что если эффект пленок на поликристаллических материалах и будет обнаружен, то из-за эффекта границ зерен он будет незначительным и природа его будет иная, чем у монокристаллов. [41]

Параметры различных монокристаллов ферритов.| Электрические свойства монокристаллов ферритов. [42]

Кристаллическая структура определяет основные физические свойства и технические параметры ферритов. Поэтому структурный признак кладется в основу классификации монокристаллических материалов на фер-рошлинели, феррогранаты, гексаферриты и ортоферриты. [43]

Характер переноса заряда в поликристаллических материалах оказывает существенное влияние на КПД солнечных элементов, использующих эти материалы. Несмотря на то что фундаментальная теория электропереноса в однородных монокристаллических материалах была обсуждена в гл. [44]

Зонная плавка является очень дорогим и маломасштабным способом рафинирования. Кроме алюминия, зонную плавку используют при рафинировании ряда редких металлов и получении монокристаллических материалов. [45]

Страницы: 1 2 3 4