Монокристаллический материал

Cтраница 4

Поликристалличность вносит некоторое стеснение в процесс деформирования и тем самым способствует возникновению множественного скольжения. Это приводит к усилению деформационного упрочнения и некоторому повышению предела прочности по сравнению с монокристаллическим материалом ориентировки 001, однако на предел текучести или пластичность существенного влияния не оказывает. При испытании материала со столбчатой микроструктурой в поперечном направлении следует соблюдать осторожность и убедиться, что в рабочем сечении испытуемого образца заключено достаточно большое количество зерен. Большой разброс поперечных свойств обычно свидетельствует, что зерен слишком мало. Пластичность, измеренная при растяжении в поперечном направлении, не является чувствительным индикатором прочности границ зерен, которую лучше оценивать по уровню пластичности в условиях ползучести. [46]

Влияние пористости и чистоты образца также является очевидным из данных, полученных для окиси магния. Спекшаяся окись магния ( 12 % пористости) становилась черной и вспучивалась в натрии, тогда как монокристаллический материал оставался светлым и практически не обнаруживал изменений в весе. [47]

Спектральные зависимости показателей преломления п ( а и поглощения k ( б пленок CdS, полученных вакуумным испарением при трех различных температурах подложки. 1 - комнатная температура. 2 - НО С. 3 - 180 С. [48]

При высокой температуре подложки, обеспечивающей рост крупных зерен, показатель преломления пленки приближается к значению, характерному для монокристаллического материала. Пленки CdS, создаваемые с помощью ионного распыления [162], имеют область резкого изменения коэффициента пропускания при значении длины волны около 0 52 мкм, соответствующем ширине запрещенной зоны CdS. В длинноволновой области спектра пленки обладают высокой прозрачностью. [49]

Экспериментальным решением вопроса об условиях инициирования разрушения на структурном уровне, близком к уровню идеальной кристаллической решетки, могут быть исследования от-кольных явлений в монокристаллах. Монокристаллические материалы высокой чистоты свободны от таких относительно крупных дефектов, как границы зерен или частицы примесей. [50]

Механическая добротность Qm является критерием превышения резонанса в механической системе, способной к колебаниям, образованной пьезоэлектрической пластиной. У монокристаллических материалов, например у кварца ( Qm104), добротность очень высока и на нее нельзя повлиять; напротив, в случае пьезоэлектрической керамики добротность, как и другие, константы материала, могут быть изменены в широких пределах небольшим изменением химического состава и выбраны по желанию. [51]

Погрешности форм пластин. [52]

Любой вид механической обработки ( резание, шлифование, полирование) связан с повреждением поверхностного слоя полупроводниковой пластины. Под нарушенным слоем подразумевают приповерхностную область полупроводникового материала, имеющую механические нарушения. Ниже нарушенного слоя находится неповрежденный монокристаллический материал. Нарушенный слой влияет на параметры готовых микросхем и на проведение различных технологических операций ( диффузию, эпитаксию, окисление и др.), поэтому он должен быть удален или сведен до минимума. Точность механической обработки полупроводников также существенно влияет на последующие технологические операции изготовления микросхем. [53]

Так, технология изготовления элементной базы современной вычислительной техники - интегральных микросхем - в значительной степени основывается на использовании монокристаллических полупроводниковых материалов ( в частности, кремния) высокой степени чистоты. Сверхчистый кремний - наиболее чистый из всех известных веществ. В настоящее время производство важнейших монокристаллических материалов для полупроводниковой электроники достигает в мире десятков тонн в год. [54]

Страницы: 1 2 3 4