Высокоомный материал

Cтраница 1

Высокоомные материалы осаждаются при больших напряжениях ( 150 - 300 В) и характеризуются значительным эквивалентом осаждения и высокой рассеивающей способностью, низкоомные осаждаются при меньших напряжениях тока ( 30 - 60 В) и уступают высокоомным по эквиваленту осаждения и рассеивающей способности. [1]

Однако использование исходного высокоомного материала приводит к увеличению последовательного сопротивления коллектора, что нежелательно. Чтобы избежать этого, в качестве исходного материала используют пластинки из сильно легированного полупроводника, на которых с помощью эпитаксии ( см. § 1.1) наращивают сравнительно тонкий слой полупроводника с малой концентрацией примесей. Затем двухслойную пластинку используют для изготовления транзистора по диффузионной технологии. Коллекторный электронно-дырочный переход такого транзистора создают в зпи-таксиальном слое, что обеспечивает малую емкость и высокое пробивное напряжение коллекторного перехода. В то же время из-за малой толщины эпитаксиального слоя последовательное сопротивление коллектора оказывается небольшим. Транзисторы, изготовленные по такой технологии, называют эпитакеиальными. [2]

Однако использование исходного высокоомного материала приводит к увеличению последовательного сопротивления коллектора, что нежелательно. Во избежание этого в качестве исходного материала используют пластинки из сильнолегированного полупроводника, на которых с помощью эпитаксии ( см. § 2.4) наращивают сравнительно тонкий слой полупроводника с малой концентрацией примесей. Затем двухслойную пластинку используют для изготовления транзистора по диффузионной технологии. Коллекторный электронно-дырочный переход такого транзистора создают в эпнтаксиальном слое, что обеспечивает малую емкость и высокое пробивное напряжение коллекторного перехода. [3]

Зависимости электрической прочности и амплитуды акустического сигнала для образцов СТ-1 и СТЭФ от числа импульсов излучения. [4]

Контроль изменения акустического отклика высокоомного материала может служить неразрушающим методом прогнозирования изменения их электрической прочности под действием ионизирующих излучений. [5]

На первый взгляд использование высокоомного материала в базовой области должно приводить к увеличению омических потерь и к непригодности данных СЭ для преобразования концентрированного солнечного излучения. Однако в таких структурах при большом уровне облучения, когда концентрация фотогенерированных носителей становится больше концентрации основных носителей тока, последовательное сопротивление уменьшается с увеличением интенсивности засветки и слабо зависит от уровня легирования исходного материала. [6]

База транзистора выполняется обычно из относительно высокоомного материала, поэтому ее объемное сопротивление г б заметно влияет на работу транзистора. Так, при большом токе падение напряжения на сопротивлении гб уменьшает величину смещения эмиттерного перехода. [7]

Рассмотрим процесс накопления объемного заряда в высокоомных материалах под действием сильноточного электронного пучка. На рис. 3.20 представлены профили распределения термализованных электронов и образующиеся при термализации электрические поля в полиэтилене и кремнии. Видно, что нарастание плотности электронного тока вызывает существенную деформацию профиля термализованных электронов. Максимум сдвигается к облучаемой поверхности, значительно уменьшается толщина слоя, в котром тенрмализуются электроны. Таким образом, на развитие дальнейших процессов оказывает влияние не только фактор возрастания поглощенной диэлектриком плотности дозы, но и рост ее мощности. [8]

Химическое осаждение применяют вместо электролитического в случае высокоомных материалов. [9]

Физика процессов взаимодействия релятивистских электронных пучков с высокоомными материалами / / Тезисы докладов в конференции Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. [10]

Эффективность действия канального транзистора может быть повышена применением высокоомного материала, что позволяет получить большую ширину перехода и сильную ее зависимость от напряжения. [11]

Влияние концентрации органических растворителей на вязкость водных растворов алкидномелами. [12]

Этим объясняют меньшее влияние совместимых с водой растворителей на высокоомные материалы; для низкоомных их влияние более значительно. Не смешивающиеся с водой растворители сильнее влияют на электроосаждение, так как они остаются в сырой пленке. [13]

Схема распределения токов в электродах точечного триода.| Схема распределения токов в электродах двух-базового диода. [14]

В то же время использование для изготовления двухба-зовых диодов высокоомного материала значительно ухудшает температурные характеристики. С этой точки зрения материалы с большой шириной запрещенной зоны ( например, кремний) оказываются предпочтительнее. [15]

Страницы: 1 2 3 4