Высокоомный материал
Cтраница 2
 |
Интегральный ночный резистор.| Интегральный пленочный конденсатор. [16] |
Резисторы изготавливают напылением на подложку 3 ( рис. 1.11) через трафарет тонкой пленки высокоомного материала ( нихром, тантал, сплав МЛТ) нужной конфигурации. [17]
Одним из способов получения исходных базовых пластинок, состоящих из сильнолегированного и слаболегированного слоев, является наращивание на высокоомный материал тонкого слоя низкоомного материала или, наоборот, на низкоомный материал слоя высокоомного материала. Техника наращивания таких слоев довольно сложна, так как наращиваемый слой должен продолжать структуру подложки. Оба слоя должны иметь единую монокристаллическую структуру. Транзисторы, изготовленные из таких пластинок, получили название эпитак-сиальных. [18]
 |
Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности ( электронным. [19] |
Из-за этого внешнее напряжение в таких переходах падает не на узкой области в самом переходе, а на высокоомном материале. В низкоомной области перехода напряженность поля получается очень малой. [20]
Специфическая особенность воздействия импульсных пучков заряженных частиц на вещество - проявление термоакустических явлений - имеет место и в случае высокоомных материалов. Поскольку теплофизические и прочностные свойства диэлектрика претерпевают существенные изменения при облучении, то возникает вопрос о существовании связи между параметрами поля ионизирующего излучения, электрической прочностью и радиационно-акустическим откликом. [21]
Поликристаллический кремний легируется примесью методом диффузии или ионной имплантации, кроме тех случаев, когда он используется в качестве высокоомного материала. [22]
Дьяков и Югов [11] предложили использовать в качестве тензометров для измерения магнитострикции тонкие пленки, которые выполняются из константана или другого высокоомного материала. Пленка наносится на исследуемый образец методом испарения. Чтобы пленки имели определенную форму и размеры, на образец во время изготовления пленок накладывается шаблон. Этот метод измерения магнитострикции не получил еще достаточного распространения, что, по-видимому, связано с трудностью получения пленок. При изготовлении тензометров из пленок возникают осложнения, связанные с выполнением надежных контактов подводящих проводов. [23]
Для подтверждения выводов предыдущего раздела было проведено исследование лавинного режима работы отечественных транзисторов типа ГТ313, ГТ311, П416 ( на высокоомном материале), а также использовались данные, полученные на зарубежных образцах приборов. [24]
Для подтверждения выводов предыдущего раздела было проведено исследование лавинного режима работы отечественных транзисторов типа ГТ313, ГТ311, П416 ( на высокоомном материале), а также использовались данные, полученные на зарубежных образцах приборов. [25]
Контактные зажимы на концах элементов в зависимости от величины и диаметра провода или ленты выполняют одним из следующих методов: надеванием и закреплением винтом хомутика, выполненного из высокоомного материала; образованием контактных колец под болт; закреплением штампованных контактных зажимных наконечников на проволоке большого диаметра или ленте; сверлением отверстий в ленте, имеющей достаточную толщину и ширину. [26]
Контактные зажимы на концах элементов в зависимости от величины и диаметра провода или ленты выполняют одним из следующих методов: надеванием и закреплением винтом хомутика, выполненного из высокоомного материала; образованием контактных колец под болт; закреплением штампованных контактных зажимных наконечников на проволоке большого диаметра или ленте; сверлением отверстий в ленте. [27]
Одним из способов получения исходных базовых пластинок, состоящих из сильнолегированного и слаболегированного слоев, является наращивание на высокоомный материал тонкого слоя низкоомного материала или, наоборот, на низкоомный материал слоя высокоомного материала. Техника наращивания таких слоев довольно сложна, так как наращиваемый слой должен продолжать структуру подложки. Оба слоя должны иметь единую монокристаллическую структуру. Транзисторы, изготовленные из таких пластинок, получили название эпитак-сиальных. [28]
Низкоомные материалы ( эмаль В-ФЛ-1493) выпускают в готовом виде и до рабочей концентрации они доводятся аммиачной водой. Высокоомные материалы ( грунтовки ФЛ-09 и ПФ-033) выпускаются в виде пасты с концентрацией 70 % и поставляются с нейтрализатором, который вместе с водой используется для доведения пасты до рабочей концентрации. [29]
 |
Плата гибридной микросхемы. [30] |
Страницы: 1 2 3 4