Высокоомный материал
Cтраница 4
В таких СЭ исключаются оптические потери на затенение контактной сеткой. Поскольку разделение ННЗ осуществляется на тыльных р - re - переходах, базовая область может изготавливаться из высокоомного материала с высокими значениями времени жизни ННЗ, а фронтальная поверхность пассивируется для снижения скорости поверхностной рекомбинации, что обеспечивает снижение потерь на рекомбинацию. С этой же целью, а также для снижения омических потерь уменьшают толщину структуры до величины порядка 100 мкм, а для увеличения эффективности поглощения света в таких тонких структурах осуществляют текстурирование фронтальной поверхности. [46]
Генераторы с ограничением объемного заряда не являются в принципе приборами пролетного типа, следовательно, в этом случае отпадает необходимость уменьшения расстояния между анодом и катодом. В результате генераторы ОНПЗ ( или в английской терминологии LSA - limited spacecharge accumulation) могут быть изготовлены на довольно толстых образцах высокоомного материала, что позволит работать при значительных напряжениях. [47]
Что касается высокоомных образцов, то здесь уже, как правило, имеют место большие отклонения. Однако последнее обстоятельство, по-видимому, связано не столько с ограниченностью метода, сколько с влиянием поверхностных эффектов ( поверхностная проводимость и рекомбинация, токи утечки через поверхность), которые на высокоомных материалах, как известно, проявляются более отчетливо. Это легко понять, если представить себе, что измеряемое сопротивление складывается из параллельно включенных объемного и поверхностного сопротивлений и шлифовка уменьшает поверхностное сопротивление, а травление в щелочи увеличивает его. [48]
Что касается высокоомных образцов, то здесь уже, как правило, имеют место большие отклонения. Однако последнее обстоятельство, по-видимому, связано не столько с ограниченностью метода, сколько с влиянием поверхностных эффектов ( поверхностная проводимость и рекомбинация, токи утечки через поверхность), которые на высокоомных материалах, как известно, проявляются более отчетливо. Это легко понять, если представить себе, что измеряемое сопроглтение складывается из параллельно включенных объемного и поверхностного сопротивлений и шлифовка уменьшает поверхностное сопротивление, а травление в щелочи увеличивает его. [49]
В современных транзисторах, созданных диффузионными методами, наиболее высокоомной областью является тело коллектора. Поэтому в насыщенном режиме, когда оба перехода смещены в прямом направлении, происходит не только инжекция избыточных неосновных носителей в область базы со стороны эмиттера и коллектора, но и инжекция неосновных носителей в тело коллектора со стороны как активной, так и пассивной области базы, поскольку в отличие от сплавных транзисторов у дрейфовых транзисторов тело коллектора выполнено из более высокоомного материала, чем область базы. [50]
Эти двигатели работают в жидкости, перекачиваемой насосами. Обмотка статора защищена от жидкости водостойкой изоляцией или тонкой трубой. Она изготовлена из тонкого, кислотостойкого, немагнитного и высокоомного материала. При агрессивной жидкости требуется также защита ротора, так что в этом случае его размещают в аналогичной трубе. [51]
Первой операцией является изготовление коллекторных переходов. Этот слой выполняется из высокоомного материала, что дает возможность уменьшить емкость перехода коллектор - база. Расположенный под ним низкоомный захороненный п - слой служит для снижения омического сопротивления тела коллектора на пути токов к выводам. [52]
Электрический пробои определяет величину Ргаах в диодах из низкоомного материала, так как в них Un9o6 мало. Сумма амплитуды СВЧ-напряжения на р-л-переходе и напряжения постоянного СА1ещения не должна превышать пробивного напряжения. Диоды, изготовленные из высокоомного материала, имеют высокое пробивное напряжение, поэтому Рта ограничивается нагревом диода. [53]
Известный способ исключения контактных сопротивлений в поликристалле, влияния микротрещин состоит в измерениях а на высокой частоте. При этом высокие сопротивления двухмерных дефектов шунтируются малыми при высокой частоте реактивными сопротивлениями их емкостей. Метод этот обычно применяется для высокоомных материалов. Использование его неэффективно для термоэлектрических объемных кристаллов и пленок, удельные электропроводности которых даже в поликристаллическом состоянии имеют значения порядка сотен - тысяч ом в минус первой степени х сантиметр в минус первой степени. Здесь мы рассмотрим другие возможности определения истинной подвижности, основанные на измерении гальвано - и термомагнитных эффектов в стационарных условиях. [54]
Известный способ исключения контактных сопротивлений в поликристалле, влияния микротрещин состоит в измерениях а на высокой частоте. При этом высокие сопротивления двухмерных дефектов шунтируются малыми при высокой частоте реактивными сопротивлениями их емкостей. Метод этот обычно применяется для высокоомных материалов. Использование его неэффективно для термоэлектрических объемных кристаллов и пленок, удельные электропроводности которых даже в поликристаллическом состоянии имеют значения порядка сотен - тысяч ом в минус первой степени х сантиметр в минус первой степени. Здесь мы рассмотрим другие возможности определения истинной подвижности, основанные на измерении гальвано - и термомагнитных эффектов в стационарных условиях. [55]
В емкостных методах [1] образец присоединяется к измерительному устройству ( высокочастотный мост, резонансный контур куметра) посредством емкостей связи, имеющих форму полого цилиндра, полуколец или просто пластин. Эти методы применяются в основном для измерения слитков из сравнительно высокоомных материалов. [56]
 |
Схема устройства полевого транзистора. [57] |
Такой режим называется режимом отсечки. Уменьшение обратного напряжения на затворе приводит к увеличению токопроводящего сечения канала, вследствие чего его сопротивление снижается и ток транзистора возрастает. Указанный эффект тем сильнее, чем больше удельное сопротивление материала полупроводника, поэтому полевые транзисторы изготовляют из высокоомного материала. [58]
Хотя и не было установлено, какого типа уровни вводит железо в энергетический спектр германия, можно предположить по аналогии с результатами Данлэпа для золота [6], что оба эти уровня являются акцепторными. Это предположение позволяет объяснить наличие уровней прилипания для дырок в электронных образцах. Пусть концентрация атомов железа есть N и каждый из этих атомов создает два акцепторных уровня. Если кристалл содержит избыток дырок благодаря наличию неконтролируемых примесей с малой энергией ионизации, то при легировании железом не удастся получить высокоомный материал. Поэтому предположим, что за счет неконтролируемых примесей с малой энергией ионизации кристалл содержит п избыточных электронов в единице объема. [59]
Страницы: 1 2 3 4