Высокоомный материал
Cтраница 3
На рис. 9.6, а показан общий вид платы гибридной интегральной микросхемы, представляющей собой схему транзисторного усилителя. Яз из высокоомного материала; затем через другой трафарет распылением металла, имеющего высокую электропроводность, наносятся нижняя обкладка О конденсатора С, межсоединения и контактные площадки 1 - 5, затем через третий трафарет наносится пленка диэлектрика конденсатора Д, а через четвертый трафарет последний слой - верхняя обкладка конденсатора 0 - 2 - Транзистор VT приклеивается к подложке и проволочными выводами присоединяется к соответствующим контактным площадкам. [31]
В этом случае глубиназа-легания р - n - перехода получается минимально возможной ( 10 - - б см), а сам р-п-переход - максимально резким. Кроме того, использование чистых высокоомных материалов обеспечивает большое время жизни неосновных носителей. [33]
Поэтому в соответствии с формулами (6.20) и (6.31) напряжение теплового пробоя будет составлять сотни вольт, а лавинный механизм будет действовать при значительно меньших напряжениях, чем тепловой. Для транзисторов, изготовленных из высокоомного материала, имеющих широкий переход и, следовательно, высокое напряжение электрического пробоя, в соответствии с формулой (6.26) тепловой пробой должен был бы наступить раньше электрического, однако практически маломощные транзисторы обычно изготавливаются из сравнительно низкоомного материала и, кроме того, как уже отмечено, напряжение теплового пробоя этих транзисторов практически недостижимо. Принципиально эти характеристики, снятые импульсным методом, исключающим разогрев, будут загибаться при одном и том же напряжении. На рис. 6.4 приведен пример характеристик, снятых по точкам или на относительно больших по времени импульсах мощности на коллекторе. [34]
В обычных диодах пробой является нежелательным эффектом, так как он ограничивает напряжение, которое можно приложить к диоду. Для повышения напряжения пробоя приходится использовать более высокоомный материал. Как видно из кривых рис. 54 и 55, Ub растет с увеличением концентрации основных носителей почти линейно. [35]
Таким образом, с точки зрения получения минимального произведения гС диоды для коммутации высокой частоты необходимо изготовлять на высокоомном полупроводниковом материале. Рассмотрим, не противоречит ли использование высокоомного материала получению большого обратного сопротивления на высокой частоте. [36]
Таким образом, с точки зрения получения минимального произведения гС диоды для коммутации высокой частоты необходимо изготовлять на высокоомном полупроводниковом материале. Рассмотрим, не противоречит ли использование высокоомного материала получению большого обратного сопротивления на высокой частоте. [37]
Как было отмечено выше, кристаллы, выращенные из расплава, содержащего железо Puron, всегда давали низкоомные электронные образцы в области, непосредственно примыкающей к поликристаллическим вкраплениям. Была сделана попытка получить из этих образцов высокоомный материал ( в котором проявлялись бы примесные уровни самого железа) путем компенсации избыточных электронов термической обработкой кристаллов. И представлен результат этого эксперимента. [38]
При повышении температуры увеличивается тепловая энергия носителей, возникает генерация - образование свободных электронов и дырок, что ведет к появлению дополнительных основных и неосновных носителей. Зависимость обратного тока от температуры сильнее - сказывается на более высокоомном материале. Изменение-температуры гораздо слабее ощущается на прямой ветви. [39]
 |
Лавинный пробой. [40] |
Важно отметить, что напряжение f / z пропорционально удельному сопротивлению базы. Именно поэтому у высоковольтных диодов делают базу из как можно более высокоомного материала. [41]
 |
Лавинный пробой. [42] |
Важно отметить, что напряжение Uz пропорционально удельному сопротивлению базы. Именно поэтому у высоковольтных диодов делают базу из как можно более высокоомного материала. Кроме того, из формул ( 2 - 52) и ( 2 - 53) видно, что напряжение туннельного пробоя зависит от типа проводимости базы: для базы типа п оно больше. [43]
Материал сварочных электродов выбирают в зависимости от теплопроводности наиболее массивного из свариваемых тел. Так, при сварке с медной фольгой, обладающей высокой теплопроводностью, используют высокоомный материал, а при сварке с никелевой фольгой ( с относительно низкой теплопроводностью) применяют низкоомный материал. Контактная сварка с медной фольгой не дает устойчивых результатов вследствие интенсивного теплоотвода из зоны соединения. [44]
Нагревание пресс-форм, На заводах, производящих электрические аппараты, применяется и исношшм электрический нагрев пресс-форм. Для этой цели в пресс-формах сделаны цилиндрические или прямоугольные отверстия, куда вставляются электронагревательные элементы из высокоомных материалов. [45]
Страницы: 1 2 3 4