Очищенный материал
Cтраница 1
Очищенный материал листуют на вальцах. Навеску берут на циферблатных весах в соответствии с полезной загрузкой вальцев. В конце листования в резиновую смесь вводят вулканизующий агент, взвешенный на технических весах. Ингредиент вводят приемом, указанным на стр. [1]
Очищенный материал отвешивают на циферблатных весах в соответствии с полезной загрузкой вальцов и проводят его листова-ние по режиму. Ингредиент вводят приемом, указанным на стр. [2]
 |
Реакционный сосуд для полимеризации изобутилона.| Полимеризация изобутилепа с трехфтористым бором. [3] |
Очищенные материалы, необходимые для опыта, перегоняют в реакционный сосуд и их давление измеряют манометром с закрытым крапом Ti. После измерения давления в известном объеме каждый компонент конденсируют в маленьком сосуде, изолируют при помощи соответствующего крана и вставляют в конденсированном состоянии до тех пор, пока он не потребуется. [4]
Очищенный материал из кристаллического состояния переводится в стеклообразное путем закалки из расплава. [5]
Очищенный материал отвешивают на циферблатных весах в соответствии с полезной загрузкой вальцов и проводят его листование по режиму. [6]
Выпрямленные и очищенные материалы подают к разметочным столам, где производится разметка. [7]
Очищенному материалу необходимо придать совершенно определенные электрофизические свойства. Это достигается легированием - введением в материал специальных примесей. Технология этого процесса также хорошо разработана. [8]
 |
Константы скорости при полимеризации акрилатов и метакрилатов. [9] |
Только подвергнув очищенный материал предварительной частичной полимеризации, можно получить мономер, дающий воспроизводимые скорости без индукционных периодов. По той же самой причине некоторые особенности, наблюдавшиеся в ранних исследованиях термической полимеризации, были, несомненно, связаны с неполной очисткой, и Катбертсон, Джи и Ридел [102] предположили, что термическая полимеризация инициируется перекисными инициаторами, образующимися из микроколичеств альдегида, остававшегося в мономере. [10]
 |
Схема процессов кристаллофизи-ческой очистки.| Распределение примеси по длине слитка после направленной кристаллизации при различном коэффициенте распределения ( со. [11] |
Однако такой процесс дает малый выход очищенного материала и занимает много времени. Поэтому направленную кристаллизацию применяют только для предварительной очистки германия после восстановления. Дальнейшую очистку производят методом зонной плавки. При зонной плавке ( ее еще называют зонной перекристаллизацией) вдоль слитка перемещается расплавленная зона, создаваемая нагревателем. [12]
 |
Схема процессов кристаллофизи-ческой очистки.| Распределение примеси по дли - Распоелеление ппимеги на. [13] |
Однако такой процесс дает малый выход очищенного материала и занимает много времени. Поэтому направленную кристаллизацию применяют только для предварительной очистки германия после восстановления. Дальнейшую очистку производят методом зонной плавки. При зонной плавке ( ее еще называют зонной перекристаллизацией) вдоль слитка перемещается расплавленная зона, создаваемая нагревателем. [14]
 |
Схема установки для вытягивания монокристаллов германия из расплава. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5