Дрейф - неосновной носитель
Cтраница 1
 |
Распределение примесей в дрейфовом транзисторе, изготовленном методом двойной диффузии. [1] |
Дрейф неосновных носителей в электрическом поле уменьшает их время пролета и тем самым улучшает частотные характеристики транзистора. [2]
Описанный процесс дополняется дрейфом неосновных носителей зарядов. [3]
 |
Схема освещения образца. [4] |
Поскольку рассматривается вопрос о диффузии и дрейфе неосновных носителей тока, объемный заряд которых компенсируется соответствующим перераспределением концентрации основных носителей тока, поле Е постоянно и равно полю, приложенному к образцу. [5]
Наличие в полупроводнике электрического поля Е вызывает дрейф неосновных носителей. [6]
Время перехода / связано с диффузией или дрейфом неосновных носителей через область базы транзистора. [7]
Поэтому постоянно существующее в базе электрическое поле способствует дрейфу неосновных носителей от эмиттерного перехода к коллекторному. [8]
Особый интерес по причинам, которые будут ясны из дальнейшего, представляет диффузия и дрейф неосновных носителей тока. [9]
В табл. 2 сведены измерения значения объемного времени жизни, коэффициента диффузии и подвижности дрейфа неосновных носителей тока для слитков германия, из которых были вырезаны образцы для изучения поверхностной рекомбинации. Значения подвижности дрейфа хорошо согласуются с данными Хэйнса и Шокли [7], полученными совершенно другим методом. [10]
Через переход / 72 протекает небольшой обратный ток - / ко, который создается дрейфом неосновных носителей заряда ( дырок) через коллекторный переход под действием температуры. От значения тока эмиттера / э ток / ко не зависит. [11]
 |
Линия задержки. [12] |
Принцип действия полупроводниковой линии задержки основан на задержке и накоплении носителей вследствие конечного значения скорости дрейфа неосновных носителей. [13]
 |
Че-шрехстабнлышй гоко - чем для вк - чения второго тир и-вый переключатель стора. [14] |
Принцип действия полупроводниковой линии задержки основан на задержке и накоплении носителей заряда вследствие конечного значения скорости дрейфа неосновных носителей. [15]
Страницы: 1 2 3 4