Дрейф - неосновной носитель
Cтраница 3
Инерционность переключения транзистора из одного режима в другой связана с изменением напряжений на барьерных емкостях переходов и с необходимостью перераспределения неосновных носителей заряда в объеме транзистора. Следовательно, сама природа преобразования сигнала в транзисторе ( диффузия и дрейф неосновных носителей заряда) обусловливает необходимость накопления и рассасывания носителей заряда в пространственно различных объемах материала, что, конечно, не может происходить безынерционно. В электровакуумных приборах инерционностью процесса перемещения ( дрейфа) заряженных частиц от анода к катоду обычно пренебрегают по сравнению с инерционностью перезаряда междуэлектродных н монтажных емкостей. [31]
Изучение механизма туннельного тока показывает, что в туннельном приборе заряд переносится не неосновными носителями, как это имело место во всех остальных рассмотренных ранее приборах, а основными носителями. В этом случае перенос заряда не должен быть связан с медленными процессами диффузии или дрейфа неосновных носителей. [32]
 |
Включение полупроводникового диода в электрическую цепь. [33] |
Суммарное поле на границе областей р и п увеличится, и поток основных носителей зарядов через границу уменьшится. Следовательно, поток неосновных носителей зарядов будет превышать поток основных носителей, и через диод будет проходить ток, определяемый дрейфом неосновных носителей зарядов. [34]
 |
Спектральная характеристика фоточувствительности диода Шотки. [35] |
Если одна из областей р-п-перехода представляет собой варизонный полупроводник, то наличие в нем квазиэлектрического поля, перемещающего генерированные светом неосновные носители к р-я-переходу, препятствует их рекомбинации на поверхности и в объеме полупроводника. При освещении фотонами высоких энергий снижение фоточувствительности в коротковолновой области спектра, обусловленное поверхностной рекомбинацией, будет меньше, если скорость дрейфа неосновных носителей в электрическом поле, обусловленном градиентом ширины запрещенной зоны, больше скорости поверхностной рекомбинации. Поток неосновных носителей должен быть направлен от освещенной поверхности в глубь образца. [36]
 |
Двустабильное спусковое устройство на 2 транзисторах с пепосредств. связями.| Двустабильное спусковое. устройство на туннельном диоде. о - схема. С - динамич. хар-ка. [37] |
Падающий участок хар-к сохраняется в диапазоне темн-р от единиц К до сотен С. Туннельные диоды устойчивы к ядерным излучениям. Туннельный эффект не связан с ограниченным временем дрейфа неосновных носителей в 1111, в связи с чем возможна работа прибора на весьма высоких частотах. Потери анергии в туннельных диодах незначительны. Применение туннельных диодов открывает перспективы создания электронных машин со скоростью работы, достигающей десятков миллионов операции в сек. [38]
 |
Двустабиль-ное спусковое устройство на 2 транзисторах с пепосредств. связями.| Двустабильное спу-скииои устройство на туннельном диоде. а - схема. б - динамич. хар-ка. [39] |
Падающий участок хар-к сохраняется в диапазоне темп-р от единиц К до сотен С. Туннельные диоды устойчивы к ядерным излучениям. Туннельный эффект не связан с ограниченным временем дрейфа неосновных носителей в ПП, в связи с чем возможна работа прибора на весьма высоких частотах. Потери энергии в туннельных диодах незначительны. Применение туннельных диодов открывает перспективы создания электронных машин со скоростью работы, достигающей десятков миллионов операций в сек. [40]
При прямом направлении ( рис. 34, а) смещение зон уменьшается, так как снижается потенциальный барьер, диффузионная составляющая тока через р - n переход увеличивается, а сопротивление перехода уменьшается. При обратном направлении ( рис. 34, б) из-за увеличения потенциального барьера происходит дополнительное смещение зон и диффузионные токи прекращаются, так как энергия основных носителей заряда недостаточна для преодоления потенциального барьера. При этом ток через переход определяется только дрейфом неосновных носителей, для которых поле запирающего слоя является ускоряющим. [41]
Этап задержки - интервал времени, отсчитанный от момента подачи импульса управления до момента накопления в базах критического заряда избыточных носителей [69], при котором становится возможным регенеративное нарастание тока через прибор. Собственное время задержки представляет собой то минимальное время, по истечении которого начинается возрастание тока через прибор. Это время связано с переносом за счет диффузии и дрейфа неосновных носителей через базовые слои структуры при подаче включающего импульса в цепь управления. Пока носители, инжектированные эмиттерными переходами, не достигли коллекторного перехода, ток через прибор практически отсутствует. [42]
Поскольку предельные частоты связаны с подвижностью носителей заряда, то при прочих равных условиях германиевые транзисторы выгодно отличаются от кремниевых. Наиболее высокие граничные частоты присущи так называемым дрейфовым транзисторам, у которых область базы ( w 2 - 3 мкм) имеет неравномерную концентрацию примесных атомов. Изменение градиента концентрации на два-три порядка по направлению от эмиттера к коллектору вызывает ускоренный дрейф неосновных носителей заряда главным образом за счет электрического поля, а не диффузии. Вместе с тем транзисторам дрейфового типа присущи низкие рабочие иапряжешя. [43]
Для собственных материалов таким же образом получаем ц0, что несколько неожиданно. Подвижность ц не является скоростью дрейфа частиц в электрическом поле, а представляет собой скорость дрейфа возмущения. Если п р илир п, то скорость дрейфа возмущения в точности равна скорости дрейфа неосновных носителей тока, но при п - р скорость в том же поле становится меньше и в конце концов ( при пр) скорость дрейфа становится равной нулю. [44]
 |
Магнитооптические свойства веществ. [45] |
Страницы: 1 2 3 4