Дрейф - неосновной носитель
Cтраница 4
Резкое возрастание сопротивления такого диода после появления поперечного магнитного поля обусловлено совместным действием трех явлений. Во-первых, уменьшается подвижность носителей заряда. Влияние магнитного поля особенно значительно на неосновные носители заряда благодаря тому, что поле Холла, созданное основными носителями, усиливает искривление траектории дрейфа неосновных носителей заряда. В-третьих, уменьшается ин-жекция дырок из р-п перехода вследствие увеличения сопротивления базы и дальнейшего уменьшения напряжения на р-п переходе. [46]
В момент возникновения контакта между р и я-областями начинается взаимная диффузия основных носителей заряда: электронов из n - области в р-область и дырок - в обратном направлении. Будучи неосновными для второй области, они там ре-комбинируют с основными носителями. Это приводит к разделению зарядов и к появлению объемного заряда положительных до-норных ионов в и-области и отрицательных акцепторных ионов в р-области. Под действием электрического поля, созданного объемным зарядом ионов, возникает дрейф неосновных носителей заряда; электронов из р в л-область и дырок в обратном направлении. [47]
 |
Образование р - / г-пе-рехода при введении донорной примеси в полупроводник р-типа. [48] |
Будем считать для определенности, что имеется акцепторный полупроводник, в котором акцепторная примесь распределена равномерно. На границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости возникает взаимная диффузия основных носителей заряда. Дырки из р-области, где их концентрация велика, будут переходить в / г-область, а электроны из / г-области соответственно в р-область. В р-области возникает отрицательный пространственный заряд ионов акцепторов за счет ухода из этой области дырок, а в / г-области - положительный пространственный заряд, так как при уходе электронов из этой области там остаются положительные ионы доноров. Таким образом, на контакте возникает электрическое поле, обусловливающее дрейф неосновных носителей - дырок из / г-области в р-область и электронов из р-области в / г-область. [49]
Будем считать для определенности, что имеется акцепторный полупроводник, в котором акцепторная примесь распределена равномерно. На границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости возникает взаимная диффузия основных носителей заряда. Дырки из р-области, где их концентрация велика, будут переходить в n - область, а электроны из / г-области соответственно в р-область. В р-области возникает отрицательный пространственный заряд ионов акцепторов за счет ухода из этой области дырок, а в п-области положительный пространственный заряд, так как при уходе электронов из этой области там остаются положительные ионы доноров. Таким образом, на контакте возникает электрическое поле, обусловливающее дрейф неосновных носителей, - дырок из / г-области в р-область и электронов из р-области в п-область. [50]
 |
Образование р - / г-пе-рехода при введении донорной примеси в полупроводник р-типа. [51] |
Будем считать для определенности, что имеется акцепторный полупроводник, в котором акцепторная примесь распределена равномерно. На границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости возникает взаимная диффузия основных носителей заряда. Дырки из р-области, где их концентрация велика, будут переходить в / г-область, а электроны из / г-области соответственно в р-область. В р-области возникает отрицательный пространственный заряд ионов акцепторов за счет ухода из этой области дырок, а в / г-области - положительный пространственный заряд, так как при уходе электронов из этой области там остаются положительные ионы доноров. Таким образом, на контакте возникает электрическое поле, обусловливающее дрейф неосновных носителей - дырок из / г-области в р-область и электронов из р-области в / г-область. [52]
Чтобы пояснить физическое содержание используемых при расчетах понятий и параметров, рассмотрим основные физические процессы в транзисторе. Эти процессы в бездрейфовых и дрейфовых транзисторах несколько отличаются. В бездрейфовом транзисторе примеси в области базы распределены равномерно. Электрическое поле в базе почти отсутствует, и ток от эмиттера к базе обусловлен главным образом диффузией неосновных носителей. Лишь незначительная часть тока связана с дрейфом носителей в электрическом поле. В дрейфовых транзисторах за счет неравномерности распределения примесей в базе создается внутреннее электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей от эмиттера к базе. Таким образом, помимо диффузии, существенное значение имеет дрейф неосновных носителей - движение их под действием электрического поля. Бездрейфовые транзисторы появились раньше, и метод заряда был разработан применительно к ним. Для расчетов процессов в дрейфовых транзисторах была разработана модификация метода, требующая большего количества параметров транзистора, измерение которых затруднено. [53]
Страницы: 1 2 3 4