Дрейф - неосновной носитель
Cтраница 2
 |
Усиление туннельными диодами. [16] |
Такие диоды имеют очень хорошие высокочастотные характеристики, так как туннелирование осуществляется основными носителями и не ограничено временем дрейфа неосновных носителей; в то же время при низком напряжении смещения рассеиваемая мощность невелика. Ra меньше отрицательного сопротивления Rn, емкость перехода С для диаметра перехода 0 0381 мм равна приблизительно 100 пф и, таким образом, высокочастотное гюлное сопротивление диода исключительно мало. [17]
Предельная частота таких приборов повышается не только за счет значительного уменьшения толщины базы, но и вследствие образования в базе тянущего электрического поля, ускоряющего дрейф неосновных носителей. На рис. 58 показана энергетическая схема диффузионного транзистора. [18]
В противоположность случаю, описанному в § 52, мы считаем здесь, что образец освещается световой полоской, как это чаще всего имеет место при исследовании диффузии и дрейфа неосновных носителей. Кроме того, предполагается, что свет слабо поглощается, так что интенсивность генерации неосновных носителей практически не меняется с глубиной. [19]
Из рис. 164 следует, что с ростом поля максимум все больше смещается к одной из границ освещенной области, а его величина уменьшается; направление смещения максимума соответствует направлению дрейфа неосновных носителей тока. [20]
Физические процессы, протекающие при туннельном эффекте, рассмотрены в § 2.1. При рассмотрении свойств обычных диодов отмечалось, что они обладают значительной инерционностью, которая обусловлена медленными процессами диффузии и дрейфа неосновных носителей. Характерным отличием туннельных диодов от обычных является то, что ток в них переносится основными носителями. Это резко повышает быстродействие прибора. [21]
 |
Характер изменения кривых ТДС и распределения примесей вблизи тянутого р - ге-перехода ( ф-на грани, О - вне ее. [22] |
В основу метода положено предположение о том, что если на экспериментальных кривых ТДС ( в p - InSb), построенных в полулогарифмическом масштабе, обнаруживаются две прямые с разным наклоном, то это может быть связано с наличием вблизи р-гс-перехода тянущего ноля, которое приводит к увеличению диффузионной длины электронов Ln ( возбуждаемых электронным зондом) за счет дрейфа неосновных носителей тока. В этом случае мы имеем дело с двумя видами диффузионных длин - основной Li и эффективной Ln. Точки перегиба этих двух длин показывают то расстояние от р - / г-перехода, на котором начинается ( оцениваемое этим методом) градиентное изменение концентрации акцепторов. [23]
При этом ширина запирающего слоя / обр увеличивается, потенциальный барьер повышается ( рис. 33, б), диффузия основных носителей через переход уменьшается, а затем вовсе прекращается. Дрейф неосновных носителей, ускоряющихся в суммарном поле контактной разности потенциалов и внешнего источника напряжения, создает обратный ток р - n перехода. [24]
Отметим, что в то время, как величина концентрации в области / / ( область сжимающего поля) с ростом поля падает монотонно, в области / ( область тянущего поля) такая монотонная зависимость, как это видно из рисунков, отсутствует: для данного х с ростом тянущего поля концентрация вначале возрастает, а затем уменьшается. Следовательно, при включении поля, вызывающего дрейф неосновных носителей из области освещения в область тени /, несмотря на то, что общее количество носителей в области тени, в результате дрейфа, возрастает, их концентрация ( особенно вблизи границы света и тени) может даже уменьшаться по сравнению с концентрацией при наличии только диффузии. [25]
Поскольку дырок в рассматриваемом случае значительно больше, чем электронов, то очевидно, что нейтральность восстанавливается преимущественно вторым путем. Из сказанного следует, что диффузия или дрейф неосновных носителей будет происходить в условиях, когда заряд неосновных носителей ( где бы они ни появились) бь, стро компенсируется таким перераспределением заряда о. Очевидно, что для полной компенсации число таких добавочных основных носителей должно быть равным числу избыточных неосновных. [26]
 |
Внутренний фотоэффект в р-п переходе. [27] |
Фотоносители диффундируют вглубь n - области. Таким образом, ток фотоносителей через р-п переход обусловлен дрейфом неосновных носителей - дырок. [28]
В зоне р-п перехода существует электрическое поле, напряженность которого направлена от полупроводника п-типа к полупроводнику р-типа. Это поле препятствует процессу диффузии основных носителей заряда и вызывает дрейф неосновных носителей заряда. На рис. 2.1, г приведены графики потенциальной энергии дырок и электронов. В глубине дырочного полупроводника потенциальная энергия дырок W равна некоторому постоянному значению, а при приближении к зоне р-п перехода энергия W начинает расти за счет потенциальной энергии электрического поля р-п перехода. В глубине слоя гс-типа потенциальная энергия дырок максимальна и превосходит эту энергию в полупроводнике р-типа на eUK, обусловленную потенциальной энергией двойного электрического слоя. [30]
Страницы: 1 2 3 4