Междуузлие

Cтраница 1

Междуузлия ( промежуточные позиции между узлами в элементарной ячейке) плотных упаковок бывают двух типов: октаэдрические и тетраэдрические. На рис. 1.65 показаны междуузлия элементарной ячейки плотной кубической упаковки. [1]

Октаэд-рические междуузлия расположены в центрах ребер и элементарной ячейки, тетраэдрические - в центрах октантов элементарной ячейки. [2]

Плотная кубическая упаковка в кубической гранецоитрированной решетке. [3]

Роль междуузлий в протекании физических процессов очень велика. [4]

Плотная кубическая упаковка в кубической гранецен-трированной решетке.| Октаэдрические и тетраэдрические междуузлия в плотной кубической упаковке. [5]

Роль междуузлий в протекании физических процессов очень велика. Атомы могут смещаться в междуузлия, диффундировать, передвигаясь по ним. [6]

Координационные сферы ( 1, 2, 3 в структуре типа NaCl. [7]

Позиции в междуузлиях могут целиком или частично быть заняты атомами других элементов, что приводит к изменению свойств и к образованию иных структур. [8]

Ион в междуузлии может переходить в соседнее междуузлие. [9]

С переходом из междуузлия в вакансию связана перезарядка иона, так как в вакансии медь существует в виде отрицательного иона. Таким образом, характерной чертой диффузии Си в Ge является обмен типа Сщч Сиое. Увеличение концентрации вакансий смещает это равновесие вправо. Поэтому условия диффузии меди в приповерхностной области могут существенно отличаться от условий диффузии вдали от ее. [10]

Внедрение атомов в междуузлия может происходить сравнительно легко в кристаллах с достаточно просторной упаковкой, при которой размеры междуузлий сравнимы с размерами атомов, и затруднено в кристаллах с плотной упаковкой атомов. Поэтому несколько позднее Шоттки предложил другую модель разупорядоченности твердых тел, содержащую только вакансии. По Шоттки, вакансии образуются при выходе атомов из узлов в объеме кристалла на поверхность, в результате которого на поверхности происходит достраивание кристаллической решетки, а в объеме кристалла возникают вакансии. В бинарных химических соединениях, в частности, в ионных кристаллах такая модель предполагает существование вакансий в подрешетках обоих компонентов в эквивалентных количествах. [11]

Внедрение ионов в междуузлие также связано с выполнением условия сохранения общей элетронейтральности. Это может сопровождаться образованием вакансий, твердых растворов замещения или изменениями в электронной оболочке ионов. [12]

Между ионами в междуузлиях и неподвижными вакансиями действуют кулоновы силы. [13]

Катионы располагаются в междуузлиях, заполняя их лишь частично. [14]

С распределены в междуузлиях. Возможен и тип анти - ГО. [15]

Страницы: 1 2 3 4