Междуузлие

Cтраница 3

Атомы U в этих структурах занимают междуузлия. Соединения типа USi особенно любопытны. [31]

Ион в междуузлии может переходить в соседнее междуузлие. [32]

Предположим для простоты, что число междуузлий равно числу узлов каждой из подрешеток. Тогда уравнения, определяющие полные концентрации атомов в кристалле, запишутся в виде [ А ] 1 - [ VxA ] [ Aix ]; [ B ] l, если разупорядочен компонент А, и [ А ] 1; [ В ] 1 - [ Ухв ] [ Bjx ], если разупорядочен компонент В. [33]

Движение атомов в решетке возможно по междуузлиям или вакантным узлам. В первом случае механизм диффузии называют междуузельным, во втором - вакансионным. По междуузельному механизму протекает диффузия атомов элементов внедрения в таких системах, как например, Fe - С, Си - Н, Fe - N. Вакансионньш механизм преобладает в системах элементов, образующих твердые растворы замещения. Теоретически возможна диффузия, элементарный акт которой заключается в одновременном повороте кольца из трех или четырех атомов решетки. [34]

Корреляционные эффекты при самодиффузии. [35]

Поскольку необходимо, чтобы рядом с занятым междуузлием было незанятое, предположение о случайных блужданиях годится только для диффузии межузельных атомов в очень разбавленных растворах. Это предположение недопустимо в случае диффузии атомов замещения, где весьма существенны эффекты корреляции. [36]

I см3 находится I ион в междуузлии и один электрон. [37]

Структуры шпинели и антишпинели. [38]

О), а 8 переходят в тетраэдрические междуузлия. Таким образом возникает структура Д МУ С М3О4, структура вычитания и деления. [39]

Подвижными носителями заряда являются ионы серебра в междуузлиях ( Ag) и вакантные серебряные узлы ( Ag) ( фиг. В помещаемой ниже таблице приведены некоторые количественные данные. [40]

Структура внедрения образуется при размещении атомов в междуузлиях кристаллической решетки. Состав твердых фаз первого рода выражается формулами Ai xB и АВ1 У. [41]

Ион внедрения выталкивает одного из своих соседей в междуузлие и занимает появившееся вакантное место. Случайно ион внедрения может рекомбинировать с существующей вакансией и тем самым исчезнуть. [42]

Размер внедряемого иона обусловливается размерами незаполненных пустот или междуузлий в кристаллической решетке основного вещества. [43]

При малых концентрациях междуузельных атомов или ионов доля незанятых междуузлий [ Vj ] в этой формуле может быть принята равной единице. [44]

А соответственно) препятствует пребыванию ионов брома в междуузлиях. [45]

Страницы: 1 2 3 4