Междуузлие

Cтраница 4

Атомы меди могут занять позиции в узлах и междуузлиях кристалла, создавая структуры замещения и внедрения, но может происходить и накопление выпадающих атомов Си в области вдоль дислокации. Особенно активно переходят в пустую полусетку, в позиции вырванного полулиста, атомы из облаков Коттрелла и собственные атомы кристалла. [46]

Энергетические зоны полупроводника. [47]

При инжекции в р-слой электроны начинают распространяться в междуузлиях решетки. Оказываясь вблизи положительных ионов, электроны захватываются и занимают место недостающего валентного электрона. Этот процесс является упрощенным описанием рекомбинации электронов и дырок. [48]

При облучении происходит выбивание атомов из узлов решетки в междуузлия с образованием вакансий. [49]

Можно предполагать, что ионы серебра, находящиеся в междуузлиях, способны захватывать электроны только при низких температурах. [50]

В полупроводниках и-типа ( в первом случае) в междуузлиях находятся электроположительные атомы, например Zn в ZnO. Такой атом можно рассматривать как междуузельный ион - f - захваченный им электрон с орбитой размером во много атомных диаметров; при повышенных температурах этот электрон будет свободно двигаться по решетке, и таким образом возникнет электронная проводимость. Для второго случая характерно удаление отрицательного иона с занимаемого им узла решетки; при этом вблизи последнего в силу условия нейтральности захватывается электрон. [51]

Например, диссоциация атома в гомео-полярной решетке из узла в междуузлие или, например, электронное возбуждение одного из атомов решетки ( экситон) представляют собой реакции, приводящие к рождению дефектов. Таким образом, кристаллическая решетка может порождать и поглощать дефекты. [52]

Домены в магнитных материалах по Киттелю. [53]

Эта модель антишпинели не свободна от недостатков, ибо все окта-эдрические междуузлия должны быть идентичны и не исключено предположение, что они заняты идентичными ионами Fe в усредненных валентных состояниях. [54]

Он применим при X Л, причем перенос ионов в междуузлиях происходит исключительно за счет термической диффузии. [55]

Схема образования дефектов по Френкелю ( а и Шоттки ( б. [56]

Междуузельные ионы, опять-таки благодаря флуктуациям энергии, могут перескакивать из междуузлия в междуузлне, меняя свое местоположение. Следовательно, Междуузельные ионы подвижны, но их движение беспорядочно, ненаправленно. В результате беспорядочного движения Междуузельные ионы могут приблизиться к вакансии и в один из перескоков занять нормальное место в свободном узле решетки. [57]

Если атом Ge или Si под влиянием энергетического воздействия перебрасывается в междуузлие, то образуются два примесных уровня: донорный внедренного атома и акцепторный пустого узла. [58]

Это связано со специфическим строением решетки флюорита, в которой имеются достаточно просторные междуузлия, по размерам сравнимые с размерами ионов, благодаря чему внедрение анионов в междуузлия сопряжено со сравнительно низкими затратами энергии. [59]

Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междуузлия решеток полупроводника IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что, в противоречии с указанным выше правилом валентности, литий ( I группа), внедряясь в междуузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития малых размеров может уже внедряться в тесные междуузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. [60]

Страницы: 1 2 3 4