Междуузлие

Cтраница 2

На рис. 1.56 показаны междуузлия для плотной кубической ячейки. [16]

Переход дислоцируемого атома в междуузлие по первому или второму варианту механизма диффузии связан с деформацией решетки вокруг нового положения атома. Энергетический барьер, преодолеваемый дислоцированным атомом при его перемещении из одного междуузлия в другое, значительно меньше ( рис. 125, б), и поэтому такие атомы обладают большей подвижностью. [17]

Внедрение атомов примесей в междуузлие кристаллической решетки сопровождается ее упругой деформацией. Энергия кристаллической решетки при внедрении в нее атомов небольших размеров ( водорода, кислорода, азота, углерода) увеличивается незначительно. [18]

В плотноупакованных кристаллах размеры междуузлий обычно невелики и образование френкелевских вакансий поэтому мало вероятно. [19]

Атом, расположенный в междуузлии решетки, называется дислоцированным атомом ( фиг. Для атомов вокруг вакансии или дислоцированного атома нарушается равномерность окружения атомами-соседями по сравнению с бездефектными участками решетки ( см. фиг. В результате этого вокруг вакансии или вокруг дислоцированного атома возникает поле упругих искажений кристаллической решетки. [20]

Для переброса электроотрицательного атома в междуузлия требуется большая работа; по-видимому, именно по этой причине такие случаи фактически не наблюдаются. Второй случай также характеризуется удалением иона из узла решетки, но на этот раз речь идет о положительном ионе, например меди в закиси меди. Для обеспечения электронейтральности металлический атом по соседству с пустым узлом должен нести избыточный положительный заряд. Последний не закреплен и может рассматриваться как движущийся по орбите вокруг пустого узла. При повышенных температурах положительный заряд не локализован около дефекта и может перемещаться по решетке, обусловливая дырочную проводимость. [21]

Атомы металлов могут внедряться в тесные междуузлия ионной решетки лишь в том случае, если они резко уменьшают свои размеры, лишившись внешних электронов, которые обусловливают электропроводность / г-типа. [22]

Характер распределения примеси по глубине при ионном легировании с использованием эффекта каналирования. [23]

Для перевода атомов примеси из междуузлий в узлы кристаллической решетки ( активное состояние) и устранения дефектов решетки производится отжиг. Температура отжига ( 400 - 1000 С) и время ( 10 - 20 мин) зависят от легирующей примеси и дозы облучения. [24]

Если сорвавшийся атом остается в междуузлий, то возникает френ-келевская вакансия, если же он блуждает по кристаллу до тех пор. [25]

Однако диффузия избыточного иона по междуузлиям и участие междуузельных ионов серебра в образовании фотолити-ческого серебра не могут быть исключены. Каков бы ни был механизм диффузии, наиболее вероятно, что ион серебра соединяется с электроном на границах субструктуры кристалла. [26]

Так как число ионов в междуузлиях является только малой частью от общего числа ионов в кристалле, равной n - jN, доля. [27]

При неколлинеарных прыжках, когда векторы междуузлие - - узел и узел-ннеждуузлие не лежат на одной линии, возможны, в свою очередь, три ситуации. Если угол 6 между обоими векторами тупой, картина качественно похожа на описанную для коллинеарных прыжков, и корреляционный множитель меньше единицы. Если же угол между направлениями векторов острый и векторы, грубо говоря, направлены навстречу друг другу, после прыжка радиоизотопа из междуузлия в узел выбитый им атом оказывается в междуузлии, расположенном где-то сзади по направлению движения изотопа. Поэтому существует повышенная вероятность того, что при последующем акте радиоизотоп будет выбит из узла примерно в том же направлении, что и при первом акте. Таким образом, в этом случае корреляция между прыжками ускоряет поступательное смещение радиоизотопов, и корреляционный множитель оказывается больше единицы. [28]

Точечные дефекты в структуре ионного кристалла. [29]

Изменение энергии при переходе атома в междуузлие в значительной степени зависит от строения кристаллической решетки и от свойств этого атома. При высокой энергии перехода иона в междуузлие дефекты по Френкелю не образуются в заметных количествах. Если в решетке имеются крупные пустоты-междуузлия, то энергия образования таких дефектов ниже и они встречаются чаще. Кроме того, дефекты по Френкелю часто обнаруживаются у кристаллов, ионы которых имеют сильную поляризуемость, и редко наблюдаются у оксидов и ковалентных веществ. [30]

Страницы: 1 2 3 4