Межсоединение

Cтраница 2

Процесс формирования межсоединений в ИС складывается из двух этапов - металлизации и фотолитографии по металлической пленке. [16]

Если параметры межсоединений и временные характеристики оказываются приемлемыми, тогда переходят к окончательному размещению и трассировке. В случае неудовлетворительных результатов предыдущего этапа производится повторное разбиение проекта на части, их новая организация или производится синтез с измененными ограничениями. После завершения размещения выдаются данные для верификации законченного изделия. Приступают к генерации тестирующих программ. [17]

Если тестирование межсоединений в готовой продукции планируется построить на основе идей граничного сканирования, то в системе ( на плате) должен быть установлен хотя бы один элемент с возможностью ГС. Интегральные схемы, поддерживающие граничное сканирование, могут быть любого типа - стандартными, полузаказными или полностью заказными. [18]

Схема иерархических уровней и уровней межсоединений устройств микроэлектронной аппаратуры СВЧ. [19]

Третьим уровнем межсоединений является система проводников, электрических соединителей, осуществляющих связь функциональных устройств и ячеек, а также отдельных микросхем и электрорадиоэлементов, входящих в состав радиоэлектронных устройств и блоков. [20]

Четвертый уровень межсоединений служит для коммутации блоков, входящих в состав системы, комплекса, устройства. Выполняется он, в основном, низкочастотными и СВЧ-кабелями с разъемными соединителями. [21]

Организация системы межсоединений в БИС и СБИС является важнейшей проблемой их конструирования и изготовления. От правильного ее решения зависят повышение технических параметров ИС и улучшение экономических показателей ее производства: экономия площади кристалла, повышение выхода годных и надежности и др. Чтобы избежать чрезмерной потери площади кристалла используется двух - или трехслойная система межсоединений с соответствующей организацией связи между слоями. [22]

Процесс формирования межсоединений в ИС складывается из двух этапов - металлизации и фотолитографии по металлической пленке. [23]

Для систем межсоединений FPGA по изложенным в разд. Для них характерны сегментированные линии связей, составленные из отдельных проводящих отрезков - сегментов. Сегменты соединяются в нужную цепь с помощью программируемых ключей. [24]

Возможность создания многоуровневых межсоединений полимерными изоляторами обусловлена высокими показателями последних. Такие методы формирования полимерных покрытий, как фотолиз, электронная бомбардировка, тлеющий разряд, позволяют получать диэлектрические слои из полимеров различного класса. При сравнении изолирующих свойств полимерных и неорганических пленок следует отметить способность полимеров к пластической деформации при механических температурных воздействиях, высокие значения пробивного напряжения, относительно малые значения диэлектрической проницаемости. Однако многие полимерные пленки не выдерживают высоких температур, и неорганические материалы имеют в этом отношении преимущество. В связи с этим к необходимым свойствам полимерных пленок следует отнести малую дисперсию диэлектрических параметров в широком диапазоне температур. В этом случае обычный способ создания полимерного покрытия на подложке центрифугированием удачно сочетается с травлением полимера с использованием защитной маски фоторезиста. [25]

Требования к межсоединениям из тонких металлических пленок могут быть сформулированы следующим образом. [26]

Заманчивой альтернативой традиционным межсоединениям являются оптоэлектронные системы, обеспечивающие возможность генерации модуляции, усиления, передачи, а также детектирования световых сигналов. Потенциальные возможности таких систем трудно переоценить. Элементарная ячейка монолитного оптоэлектронного устройства представляет собой результат интегрирования, в пределах одной пластины источника излучения, волновода и фотоприемника. Необходимым условием успешного использования оптоэлектронных устройств является их хорошее геометрическое и функциональное совмещение с элементами УСБИС. [27]

Отказы в межсоединениях за счет электродиффузии, как правило, возникают при прохождении постоянного тока. Снижение вредного влияния электродиффузии на надежность систем межсоединений в БИС достигается применением различных конструктивных и технологических способов, например путем использования дорожек с большей шириной ( что, однако, приводит к снижению плотности интеграции), применением стеклянных покрытий, предохраняющих от коротких замыканий, использованием методов, позволяющих выращивать крупнозернистые пленки или пленки с такой ориентацией зерен, при которой эффект электродиффузии снижается. Однако все эти методы не дают сколько-нибудь существенных результатов. Более эффективным следует считать введение в алюминий различных добавок, ограничивающих процесс электродиффузии по границе зерен. [28]

Кристалл полупроводниковой микросхемы. [29]

Размещение элементов, межсоединений и контактных площадок на поверхности и внутри кристалла полупроводниковой микросхемы иллюстрирует рис. 1.10. На рис. 1.10 о показана принципиальная схема функционального узла, выполненного в виде данной микросхемы. Это логический элемент ИЛИ - НЕ, состоящий из двух транзисторов 7Y и Тг и трех резисторов Ri, R3 и 3 - Принцип действия этого элемента рассмотрен в гл. [30]

Страницы: 1 2 3 4