Межсоединение
Cтраница 3
Помимо решения проблемы межсоединений элементов в РЭА интегральные микросхемы обеспечивают малые габариты, массу и низкую материалоемкость аппаратуры. Отсутствие многочисленных выводов и корпусов у ЭРЭ намного сокращает объем и массу РЭА. [31]
Тонкопленочные пассивные элементы и межсоединения изготавливаются методами катодного или ионно-плазменно-го распыления соответствующего материала масочным или фотолитографическим способом. Основные требования к материалам, используемым для тонкопленочных резисторов: широкий диапазон необходимых удельных сопротивлений слоя ( 10 - 104 Ом / П) и низкий температурный коэффициент сопротивления TK. [32]
После того, как металлизированные межсоединения осаждены и протравлены, можно перейти к заключительному этапу сплавления и отжига. Сплавление заключается в помещении металлизированных подложек, обычно с алюминием, в низкотемпературную диффузионную печь, чтобы обеспечить контакт с низким сопротивлением между металлом алюминия и кремниевой подложкой. В заключение на этапе сплавления либо сразу после него пластины часто подвергаются воздействию газовой смеси, содержащей водород, в диффузионной печи при температуре от 400 до 500 С. Отжиг предназначен для оптимизации и стабилизации характеристик прибора посредством соединения водорода с несвязанными атомами на / около границы раздела кремний - диоксид кремния. [33]
 |
ИС с балочными выводами. [34] |
При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски ( 0 5 - 1 мм) шириной 0 1 - 0 2 мм - будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота ( 10 - 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. [35]
Затем машина выдает топологию межсоединений, а основе чего изготовляются фотооригиналы и фотошаблоны для каждого слоя металлизации. [36]
Убедившись в отсутствии ошибок межсоединений, проектировщик может переходить к тестированию оборудования, не поддерживающего ГС. Проверка работоспособности такого оборудования может выполняться на ресурсах JTAG-интерфейса, если проверяемые фрагменты своими входными и выходными цепями соединены с контактами сканируемых ИС. Эффективность тестирования определяется всей совокупностью задействованных элементов. Структура тестируемого фрагмента, места его подключения к источникам тестирующих сигналов и места снятия с него контрольных сигналов, организация теста - все эти вопросы должны решаться проектировщиком. Не в последнюю очередь рациональный выбор этих составляющих опреде - ляется возможностями их автоматизации. [37]
Важной особенностью машинной трассировки межсоединений является зависимость выбранных программ от технологии изготовления многослойной коммутации и методов монтажа. Так, например, программы трассировки, отработанные для печатных плат, пригодны и для коммутационных плат в виде многослойной керамики, где переход со слоя на слой осуществляется с помощью контактных столбиков, и совершенно не пригодны для коммутационных плат, где изоляция наносится в местах пересечений. При наличии у полупроводникового кристалла проволочных выводов возможно использование пересечений навесных проводников с нижним слоем коммутации через изоляционный слой, что также существенно видоизменяет программы трассировки межсоединений. [38]
Сложность расчета топологического рисунка межсоединений и проверки готовых БИС на годность требует применения ЦВМ и при производстве БИС с фиксированными соединениями. [39]
На этом этапе рисунок межсоединений может тоже видоизменяться до тех пор, пока не будет удовлетворять заданным требованиям и ограничениям. Затем ЭВМ по команде конструктора разрабатывает необходимую конструкторскую документацию ( топологические чертежи), а также определяет данные, необходимые для изготовления базового кристалла. К ним относятся тип и характер распределения примесей, характеристики эпитаксиальных и диффузионных слоев структуры и др. Изображение рисунка, генерируемого ЭВМ, выводится на устройства для изготовления фотооригинала, на основе которого затем изготавливаются фотошаблоны. [40]
Следовательно, подавляющее число межсоединений выполняется без применения ручного труда - источника ненадежности. [41]
В этом случае рисунок межсоединений является неизменным и исключается первый уровень соединений. [42]
 |
ИС с балочными выводами. [43] |
При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски ( 0 5 - 1 мм) шириной 0 1 - 0 2 мм - будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота ( 10 - 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. [44]
Электролеренос в металлических пленках межсоединении сильно зависит от коэффициентов переноса или самодиффузии. [45]
Страницы: 1 2 3 4