Испаряемый металл

Cтраница 2

Среди соединений, образуемых в системе испаряемый металл - газ ( N2, C2H2, О2, Н2) при активированном реактивном испарении или реактивном распылении, следует отметить MeN или МеС ( MeTi, Zr, Hf), a - и у - АЬОз, ВеО, TiO2, Y2O3, сульфиды титана, субоксиды ряда металлов. [16]

Чистые металлические пленки получают при нагреве испаряемого металла сфокусированным электронным пучком. В этом случае происходит локальный разогрев испаряемого металла и отпадает необходимость в тигле, который обычно является источником загрязнений. [17]

Схема рабочей камеры установки вакуумного напыления. [18]

Метод вакуумного напыления заключается в следующем: испаряемый металл конденсируется на поверхности подложек, покрывая их тонким слоем. Меняя исходный материал и маски, через которые он напыляется, можно за один цикл операций изготовить большое количество проводников, сопротивлений и емкостей. [19]

Она определяется в первую очередь температурой плавления испаряемого металла, и этот параметр необходимо выдерживать в процессе производства на заданном уровне. [20]

Для защиты внутренней поверхности кварцевого окна от попадания испаряемого металла или других загрязнений ( из покрытия) используют заслонку с магнитным управлением. Два соединительных провода 3 и 3, выведенные сквозь стенки, позволяют одновременно измерять изменения сопротивления во время адсорбции на пленке, нанесенной на стенку ячейки. [21]

Испарители с прямым и косвенным подогревом. [22]

Перед испарением на проволоку подогревателя испарителя навешивают кусочки испаряемого металла, которые по мере прогревания плавятся и смачивают подогреватель. [23]

Схема испарителей металла с непосредственным подогревом: 1 - испаряемый металл ( лента); 2 - охлаждаемые вводы; 3 - тепловой экран; 4 - экраны, предохраняющие от исшряе-мого вещества; 5 - напыляемая пластина. [24]

Неравномерное распределение толщины покрытия на подложке и наличие потерь испаряемого металла являются недостатками метода испарения и конденсации в вакууме, которые особенно проявляются в непрерывных линиях. Если не принять специальных мер, то толщина покрытия в центре полосы будет значительно больше, чем на ее краях. Часть металлических паров, минуя подложку, будет осаждаться на стенках камеры и внутрикамерных устройствах, загрязняя их, нарушая режим работы и снижая экономические показатели установки. Несмотря на то, что указанные вопросы очень важны, в литературе имеется мало данных о равномерности толщины покрытий на движущейся полосе и коэффициенте использования паров. В настоящей главе изложены методика расчета распределения толщины покрытий на полосе и результат анализа некоторых путей улучшения равномерности толщины и повышения коэффициента использования паров. [25]

Структура тонких пленок определяется в первую очередь температурой плавления испаряемого металла; этот параметр следует выдерживать в процессе производства в заданных пределах. Контроль структуры может быть выполнен с помощью электронной дифракции и электронной микроскопии. [26]

При изготовлении спирали ее материал нужно подбирать с учетом испаряемого металла. Важно, чтобы гусарик смачивал виток, на котором он висит, и не вступал бы с ним в химическую реакцию. [27]

При нанесении металлической пленки методом катодного распыления вместо нагрева испаряемого металла его бомбардируют ионами инертного газа, чаще всего аргона. Метод катодного распыления осуществляют аналогично рассмотренному ранее методу ионного травления ( см. § 2.7), причем катод-мишень изготовляют из металла, из которого формируется пленка. [28]

Основные физические явления, происходящие на пути атомов, покинувших испаряемый металл, в процессе осаждения сводятся к следующему: 1) атом металла в результате столкновения с другим атомом металла либо инертного газа может вновь вернуться в тигель; 2) в отличие от обычного процесса термического напыления атомы, покинувшие испаритель, движутся не по прямолинейной траектории, а рассеиваются ( в результате многочисленных столкновений) по всем направлениям; 3) происходит ионизация части атомов испарившегося металла в результате столкновений с электронами, атомами и ионами плазмы; 4) при взаимных столкновениях атомов испарившегося металла может произойти их агломерация, образуются мелкие частички ( - 10 нм), которые заряжаются в плазме разряда. Поверхности подложки атомы металла достигают, обладая большой энергией, и могут проникать в подложку, обеспечивая тем самым высокую прочность сцепления покрытия с основой. [29]

Благодаря снижению давления в камере была уменьшена возможность реакции между испаряемым металлом и остатками воздуха. Этот процесс был положен в основу вакуумной металлизации как металлических, так и неметаллических материалов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5