Метод - псевдопотенциал
Cтраница 2
Таким образом, на языке метода ЛКАО простейший вариант метода псевдопотенциала соответствует предположению, что степень металличности равна единице. Этот момент является довольно сложным и, вероятно, не слишком важным, поскольку имеются заметные расхождения как между истинными зонами и l / i-зонами, так и между истинными зонами и зонами, рассчитанными в рамках простейшего варианта метода псевдопотенциала. [17]
Мы видели, в частности, при рассмотрении ковалентных кристаллов методом псевдопотенциала, как важно знать с самого начала, какие матричные элементы или эффекты являются большими, а какие затем могут рассматриваться как поправки. [18]
 |
Схематическая зависимость мнимой части диэлектрической постоянной от частоты вблизи сингулярностей Ван Хова для случая одного, двух и трех измерений. [19] |
Теоретические кривые рассчитаны на основе зонных структур, полученных с помощью метода эмпирического псевдопотенциала. Недавние теоретические расчеты приведены в [6,21], [6,22], Коррекции, связанные с локальным полем, происходят благодаря изменениям в компонентах разложения Фурье высших порядков ( псевдо) - потенциала кристалла, инициированных электромагнитным полем. Отметим, что согласно ( б) их влияние мало; они не могут улучшить согласование с экспериментальными данными. На рис. 6.12 приведено аналогичное сравнение для мнимой части диэлектрической функции Ge [6.25], за тем исключением, что зонная структура рассчитана с помощью ( fe р) - метода. Во всех трех случаях наблюдается вполне хорошее согласие между теорией и экспериментом за счет того, что некоторые начальные параметры для расчета зон были фактически получены путем подгонки к особенностям, наблюдаемым на экспериментальных кривых. [20]
Из табл. 18.1 видно, что для Vz это почти эквивалентно использованию метода псевдопотенциала с параметрами, определенными из эксперимента. Рассмотрим сначала диэлектрическую восприимчивость, которая играла очень важную роль при построении метода ЛКАО. [21]
На основе метода ОПВ был развит метод, получивший в дальнейшем название метода псевдопотенциала ( Филлипс и Клейнман), широко используемый в настоящее время для расчета зонной структуры. [22]
На рис. 2.10 была показана электронная зонная структура Si, расчитанная с по мощью так называемого метода псевдопотенциала, который будет рассмотрен в на стоящем параграфе. Сравнивая ее с зонной структурой почти свободных электронов на рис. 2.9, находим между этими структурами много общего. В основе своей зонная структура почти свободных электронов является параболой, перестроенной в при веденной зонной схеме. В случае рис. 2.10 зонная структура получена в результате сложных вычислений на суперкомпьютере. Возникает вопрос: почему зонные структуры, полученные совершенно различными методами, качественно так похожи. Ответ на этот вопрос заключается в концепции псевдопотенциалов. [23]
В работе Челиковского и Коэна ( цитированной Филлипсом [68]) было обнаружено, что в рамках метода нелокального псевдопотенциала аналогичный результат для матричных элементов / также имеет место. [24]
 |
Функция плотности состояний кремния в приповерхностной области. [25] |
Примечательно, что в этой работе для слоев алюминия использовалась желе-подобная модель, а для кремния применялся метод псевдопотенциала. [26]
Выполнен также расчет для жидкого лития ( Джо-унс и Скотт, предварительное сообщение) и хотя был применен метод псевдопотенциала, при сравнении с расчетом для твердого состояния оказалось [104], что используемое приближение о существовании почти свободных электронов не является хорошим, а допущения в изложении Эдвардса не могут быть, вероятно, обоснованы. Однако все исследователи пришли к единому мнению, что поправки к результатам, полученным в соответствии с теорией свободных электронов Эдвардса, незначительны для одновалентных металлов. [27]
Рассматриваемые энергетические зоны возникают из зон Джонса, которые будут подробно обсуждаться при анализе тетраэдрических полупроводников в рамках метода псевдопотенциала в гл. [28]
В работе [119] изотермическая сжимаемость, а следовательно, и скорость звука описаны в рамках электронной теории с использованием метода псевдопотенциалов. Следует отметить, что расчет w согласно этой теории довольно трудоемкий. Такой расчет был выполнен на ЭВМ только для температуры, близкой к температуре плавления металлов, поэтому нельзя рассчитать температурный коэффициент скорости звука и выяснить, с какими факторами он связан. [29]
Комплексы катионная вакансия - донорная примесь ( VA1 - О; VGa-О) в A1N, GaN рассмотрены в [39] методом псевдопотенциала. Установлена значительная ( - 1 эВ) величина энергии связи комплекса, что указывает на большую вероятность их образования. [30]
Страницы: 1 2 3 4