Свободная дырка

Cтраница 1

Типы адсорбции на поверхности ионного кристалла ( по Ф. Ф. Волькенштейну. [1]

Свободные дырки обеспечивают дырочную проводимость кристалла. Дырка трактуется как свободная отрицательная валентность. [2]

Свободная дырка в кристалле свидетельствует обычно об отсутствии электрона у иона. Наличие дырки означает, что один из ионов превращен в нейтральный атом. Такая свободная дырка, подобно свободному электрону, не локализована в решетке, а способна странствовать по ней, перемещаясь с иона на ион. Этими свободными дырками обеспечивается так называемая дырочная проводимость кристалла. Дырка может трактоваться, как свободная отрицательная валентность, поскольку наличие дырки означает, что у одного из ионов один электрон изъят из атомной оболочки. [3]

Типы адсорбции на поверхности ионного кристалла ( по Ф. Ф. Волькенштейну. [4]

Свободные дырки обеспечивают дырочную проводимость кристалла. Дырка трактуется как свободная отрицательная валентность. [5]

Чем отличается свободная дырка от свободного электрона. [6]

Свободные электроны и свободные дырки не локализованы, а способны мигрировать, образуя свободные положительные и отрицательные валентности, которые могут исчезать и появляться. При встречах таких свободных валентностей происходит взаимное насыщение. Последнее может происходить и при встречах с приходящими извне атомами или молекулами, обладающими ненасыщенными валентностями. Таким образом, катализаторы ионной структуры следует рассматривать как полирадикал с блуждающими по поверхности ненасыщенными свободными валентностями. [7]

Аналогичным образом, свободная дырка, Захваченная уровнем прилипания для дырок ( заполненным до этого электроном), будет термически возбуждена в валентную зону раньше, чем она захватит свободный электрон. Уровни прилипания для электронов находятся в тепловом равновесии с зоной проводимости. [8]

Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник и-типа, а из тюлупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и и-типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [9]

Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник и-типа, а из полупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и и-типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [10]

Поглощение пропорционально концентрации свободных дырок. [11]

Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник - типа, а из Полупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и n - типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [12]

Подобные процессы называются рекомбинацией свободной дырки с электроном. Если глубина залегания ловушки такова, что переход с нее электрона или дырки в соответствующую зону при данной температуре затруднен, а возможен только захват, то такие ловушки называются центрами пекомбинашга. [13]

Спектральная характеристика излучения лазера в режимах генерации и отсутствия ее.| Диаграмма направленности излучения лазера в режиме. генерации. [14]

Первый тип обусловлен нереходом свободной дырки в зону проводимости или на мелкий донорный уровень, второй - переходом свободного электрона на акцепторный уровень, третий - переходом с донорного уровня на акцепторный и, наконец, четвертый - переходом с донорного уровня в валентную зону. Третий тип излучения ( вызываемый переходом с донорного уровня на акцепторный) - это основной тип излучения в материале р-типа. [15]

Страницы: 1 2 3 4