Свободная дырка

Cтраница 2

Спектральная харак - [ IMAGE ] Диаграммы направ-теристика лазера ленности лазера. [16]

Первый тип обусловлен переходом свободной дырки в зону проводимости или на мелкий донорный уровень, второй - переходом свободного электрона на акцепторный уровень, третий - переходом с донорного уровня на акцепторный и, наконец, четвертый - переходом с донорного уровня в валентную зону. Третий тип излучения ( вызываемый переходом с донорного уровня на акцепторный) - это основной тип излучения в материале р-типа. [17]

Ясно, что концентрацией свободных дырок в рассматриваемых условиях можно пренебречь. [18]

В результате этого процесса образуются свободные дырки и электроны, связанные с акцепторными атомами. Фотопроводимость, возникающая в результате двух последних процессов, называется при - метой. [19]

В то же время транспорт свободных дырок имеет дисперсионный характер во всем интервале исследованных в [122, 123] температур. [20]

Рассматривая - р как импульс свободной дырки, из (6.66) заключаем, что при межзонной излучательной рекомбинации возможны лишь такие переходы, при которых электрон зоны проводимости встречается с дыркой валентной зоны, имеющей равный по величине и противоположный по направлению импульс. Такие переходы называются прямыми. [21]

Появлению локализованных центров свечения содействует наличие свободных дырок ( возникающих при поглощении энергии возбуждения основным веществом), способных вызвать экзотермическую ионизацию центра свечения. Следовательно, к излучению кванта люминесценции приводит как непосредственная ионизация атомов активатора ( центров свечения), так и ионизация атомов основного вещества, приводящая к появлению пары носителей тока - свободных электрона и дырки. [22]

В заштрихованной области основной заряд создается свободными дырками. [24]

Это значит, что электроны проводимости и свободные дырки движутся с подавляющей вероятностью по катионам бинарной решетки. [25]

В полупроводниках, как правило, не только свободные дырки могут захватывать электроны, но и различного рода локальные центры, создающие в запрещенной зоне дискретные уровни. [26]

Зависимости амплитуды импульса фототока ip от напряжения на образце U, полученные при измерении импульсных фототоков в ПВК. верхняя кривая - освещен Se-электрод, толщина образца d - 10 мкм, энергия импульса света / 1 мкДж. нижняя кривая - освещен Аи-электрод, d 8 мкм, / 25 мкДж. [27]

Поскольку начальный всплеск фототока связан с движением свободных дырок, спад этого быстрого импульса во времени, обусловленный захватом носителей ловушками, должен быть процессом первого порядка и не должен зависеть от напряженности внешнего поля. [28]

Пространственный заряд здесь образуется ионизированными донорами и свободными дырками, Зарядом свободных электронов опять можно пре-небречь. [29]

На том месте, откуда пришел электрон образуется свободная дырка, которая добавляется к собственным дыркам, порожденным термогенерацией. Помимо индия, акцепторами по отношению к германию и кремнию служат алюминий, галлий, бор и другие элементы. [30]

Страницы: 1 2 3 4