Свободная дырка

Cтраница 4

В полупроводниках существует два механизма проводимости: носителями заряда являются свободные электроны и свободные дырки. Дырочная проводимость есть проводимость, создаваемая движением связанных электронов по связам. [46]

В реальных условиях во всяком ионном кристалле имеется некоторое число свободных электронов и свободных дырок, образующих так называемые электронный и дырочный газы в результате миграции свободных электронов. [47]

Таким образом, легкие дырки в германии составляют лишь около 4 % всех свободных дырок. [48]

Хемосорбированная частица, связанная с поверхностью прочной связью, удерживает свободный электрон или свободную дырку кристаллической решетки. Это приводит к изменению плотности электрического заряда на поверхности, а следовательно, к заряжению поверхности и сдвигу положения уровня Ферми на поверхности кристалла. Поверхностные свойства кристалла, определяющие его каталитическую активность, отличаются, таким образом, от его объ-емных свойств, что обязательно дол-жно учитываться при постановке ис - ц следований по подбору катализаторов и интерпретации их результатов. [49]

Перераспределение валентностей на поверхности полупроводникового катализатора. [50]

Хемосорбированная частица, связанная с поверхностью прочной связью, удерживает свободный электрон или свободную дырку кристаллической решетки. [51]

В предыдущем разделе описан основной механизм проводимости в полупроводниках, проводимость электронами и свободными дырками. [52]

Эти функции свободных электронов и дырок вытекают уже из самого понятия свободный электрон или свободная дырка. Мы поясним это на двух предельных случаях: чисто гомеополярного и чисто ионного кристалла. [53]

При этом электроны переводятся из валентной зоны на уровни класса II, а возникающие свободные дырки захватываются уровнями класса /, обусловливающими низкую фоточувствительность. Поскольку процесс очувствления определяется переходом дырок с уровней класса / на уровни класса II, то обратный переход приводит к уменьшению фоточувствительности. Действие инфракрасного света может рассматриваться как эффективное смещение уровней класса И по направлению к валентной зоне, что соответствует увеличению температуры решетки. [54]

Таким образом, и в этом случае свободный электрон эквивалентен ненасыщенной положительной валентности, а свободная дырка эквивалентна ненасыщенной отрицательной валентности. [55]

Поскольку избыток атомов свинца приводит к увеличению числа свободных электронов, а избыток халькогена дает свободные дырки, то существуют большие трудности в получении образцов с малыми концентрациями носителей заряда. [56]

Страницы: 1 2 3 4