Свободная дырка
Cтраница 3
В объеме кристаллического триода имеются различные пути следования свободных дырок и электронов. Например, эмиттерная батарея Уээ создает дырочный ток, который течет от эмиттера к базе, и электронный ток, текущий в обратном направлении. Выбирая специально большим отношение удельного сопротивления материала базы к удельному сопротивлению материала эмиттера ( например, 100 к 1), можно гарантировать, что дырочный ток будет во много раз больше, чем электронный ток. Путь этого электронного тока проходит от базового вывода через базу на эмиттер. Путь дырок является различным. [31]
Изменение концентрации рымп можно связать также приведен - свободных дырок р в зависимости ные выше относительно большие вели - от времени отжига в CdSnAs, лет-чины Ае. [32]
Переходы зона-зона заключаются в рекомбинации свободных электронов и свободных дырок. Обозначим через тг время излучательной рекомбинации одного электрона и одной дырки. Если концентрации свободных электронов и дырок равны, соответственно, пе и пь, то вероятность излучения фотонов при их рекомбинации дается выражением пепь / тг при условии, что тг одно и то же для всех возможных рекомбинирующих п ар. Для термализованного распределения свободных электронов и дырок время излучательной рекомбинации зависит от их энергии, и следовательно, меняется с энергией фотонов. Процедура усреднения зависит также от того, сохраняется ли в процессе рекомбинации волновой вектор. Ожидалось, что волновой вектор будет сохраняться при рекомбинации в совершенных кристаллах, однако было обнаружено, что это неверно при возбуждении большой концентрации e - h пар. В случае электролюминесценции, когда можно инжектировать один неосновной экстра-носитель в полупроводник, содержащий равновесные распределения электронов и дырок, обычно вводят определение излучательного времени жизни неосновных носителей rraci как времени излучательной аннигиляции этого экстра-носителя основными носителями. [33]
Это приводит к образованию отрицательно заряженного поверхностного комплекса и свободной дырки в объеме полупроводника. Поверхностное состояние электронного энергетического уровня будет зависеть от энергии связи в поверхностном комплексе, акцептирующем электрон. [34]
Рекомбинация не является простым актом столкновения свободного электрона и свободной дырки - этот процесс более сложен и часто бывает многоступенчатым. Главную роль в процессе рекомбинации играют особые центры рекомбинации - ловушки, обладающие локальными энергетическими уровнями в запрещенной зоне, способными захватить электрон из зоны проводимости и дырку из валентной зоны, осуществляя их рекомбинацию. Такими ловушками являются дефекты кристаллической решетки полупроводника, которые могут быть расположены и на поверхности кристалла. [35]
К счастью, в этом случае можно пренебречь вкладом свободных дырок в уравнение (4.51), поскольку па мало. [36]
При комнатной температуре процесс излучательной рекомбинации идет с участием свободной дырки, но при температуре ниже 10D К доминирует излучение, связанное с переходами в донор-но-акцепторных парах кислород - цинк с большим расстоянием между атомами. [37]
В настоящей книге уделяется мало внимания захвату свободных электронов свободными дырками, поскольку такой процесс лишь в редких случаях яв ляется преобладающим или определяющим время жизни. Тем не менее излучательная рекомбинация свободных носителей, несомненно, представляет интерес в люминесценции, даже если этот процесс и не является преобладающим. Кроме того, вычисляя сечение излучательного захвата свободными носителями, можно надежно оценить сечение других процессов излучательного захвата на локальных центрах. Обычно такой расчет производится на основе принципа детального равновесия. [38]
 |
Зонная схема кристалла, в котором возможно возбуждение носителей тока с примесных уровней и из заполненной зоны. [39] |
Аналогично при / zv Q можно ожидать понижения возбужденных светом свободных дырок. [40]
 |
Энергетические уровни сво-электронов и дырок. [41] |
Это значит, что одновременно с появлением свободных электронов появляются и свободные дырки, которые в электрическом поле образуют дырочный ток. [42]
В [266] сделано заключение о том, что одну из линий обусловливают свободные дырки в валентной зоне, а вторую - дырки, связанные с атомом бора. Наблюдение обеих линий возможно только при значительных аксиальных сжатиях кристаллов. [44]
В полупроводниках существует два механизма проводимости: носителями заряда являются свободные электроны и свободные дырки. Дырочная проводимость есть проводимость, создаваемая движением связанных электронов по связям. [45]
Страницы: 1 2 3 4