Cтраница 1
Положительные дырки образуются и обычным путем, при поглощении кислорода, но при добавлении достаточного количества Li2O их можно не принимать в расчет, а учитывать лишь то количество положительных дырок, которое обусловлено присутствием ионов Li в решетке. [1]
Положительные дырки, оставшиеся после ухода электронов, перемещаются к поверхности кристалла и удаляются в виде атомов брома. [2]
Положительная дырка должна обладать значительно большей подвижностью, чем междуузельный ион серебра, и поэтому должна рекомбинировать с электроном до того, как междуузельный ион достигнет поверхностного центра захвата. [3]
Положительная дырка, освобождающаяся одновременно с электроном на первой стадии фотолиза, должна обладать способностью захватываться вакантным серебряным узлом решетки. Фотографические данные указывают, что вакантный серебряный узел не может служить устойчивой ловушкой для положительной дырки при комнатной температуре, хотя эта дырка может пребывать в связанном состоянии достаточное время, чтобы положительный ионный дефект решетки успел соединиться в подходящей точке с электроном, освобожденным квантом света. [4]
Положительные дырки, которые по своим химическим свойствам эквивалентны атомам галоида, могут: а) удаляться через поверхность микрокристалла и реагировать с водой, желатиной или специально добавленным акцептором галоида, как это было указано Герни и Моттом; б) вызывать регрессию путем воздействия либо на скрытое изображение, либо на более мелкие центры; в) соединяться с вакантными серебряными узлами. Вначале положительные дырки могут захватываться вакантными серебряными узлами, а затем медленно освобождаться в результате теплового движения. В этом случае положительные дырки будут обладать некоторой вероятностью вызывать регрессию всех видов скрытого изображения, исключая изображение, состоящее из положительно заряженных агрегатов / - - центров. Некоторая доля этих освобожденных положительных дырок всегда должна выделяться через поверхность. [5]
Положительные дырки в окислах р-типа и ионы адсорбированного кислорода способны притягивать друг друга и образовывать нейтральные пары. [6]
Положительная дырка также может обмениваться при тесном взаимодействии электронных оболочек. [7]
Получившиеся положительные дырки могут затем участвовать в различных вторичных процессах. [8]
Движение положительных дырок вдоль поля можно представить себе как результат преимущественного замещения электронами тех свободных состояний, которые соответствуют движению от отрицательного полюса к положительному и осзобождению состояний движения противоположного направления. Если проследить за остающимися свободными квантовыми состояниями, то среди них будут преобладать состояния движения вдоль поля, присущие положительным зарядам. Легко понять, что выделять дырки имеет смысл только в том случае, когда их немного среди основной массы состояний, заполненных электронами. [9]
Миграция положительной дырки в верхней заполненной зоне считается при этом аналогичной передвижению недостающего электрона в противоположную сторону. [10]
Электроны или положительные дырки играют роль проводящей ток системы, и поверхностная проводимость может отличаться от объемной электропроводности вследствие присутствия носителей л-заряда, приводя к электропроводности а nev, где и - подвижность электрона, а е - его заряд. [11]
Электроны и положительные дырки перемещаются под действием внешнего поля к границе р - га-перехода навстречу друг другу, толщина контактного слоя и его сопротивление уменьшаются. [12]
Необходимость удаления положительных дырок в целях обеспечения фотографической эффективности первичного фотохимического акта рассматривалась в ряде работ [39-43], причем в одной из них [43] изучалась бромак-цепторная функция желатины. Чтобы подтвердить решающее значение связывания положительных дырок ( фотолитического брома), а также способность собственных дефектов быть эффективными ловушками фотоэлектронов и местами концентрации атомов серебра, были исследованы бромирование и регенерация светочувствительности липмановской бромосеребряной эмульсии, зерна которой всегда богаты дефектами решетки, но имеют относительно низкую концентрацию примесных центров. [13]
Возникающая при этом положительная дырка диффундирует затем к поверхности кристалла, где реагирует с другой положительной дыркой, образуя три молекулы азота. На этой стадии ядро металлического бария заряжено отрицательно. Оно притягивает поэтому междоузельные ионы бария, одновременно увеличиваясь в размере и переходя в нейтральное состояние. После нейтрализации ядра на него может перейти следующий электрон. Таким образом, ядро растет в результате поочередного захвата электронов и ионов бария. [14]
Акцептор галоида захватывает положительные дырки при - 186 или, что более вероятно, во время нагревания и поэтому усиливает скрытое изображение. [15]