Положительная дырка
Cтраница 3
 |
Ступенчатый р-п переход. [31] |
Внутри слоя пространственного заряда электроны и положительные дырки, обусловливающие проводимость, отсутствуют. [32]
Изменения в распределении катионных вакансий и положительных дырок в двух областях пространственного заряда очень сложны, но распределение в массе окисла достаточно просто. Так как в любой среде с неисчезающей электропроводностью не может быть постоянного распределения заряда в макроскопическом масштабе, то основная масса окисла должна оставаться незаряженной, но в ней устанавливается равномерный градиент концентрации катионных вакансий и положительных дырок. Скорость роста слоя окисла пропорциональна скорости диффузии катионных вакансий или положительных дырок в зависимости от того, какая из этих двух скоростей в массе окисла будет медленнее, а скорость диффузии в свою очередь пропорциональна градиенту концентрации. Отсюда ясно, что при увеличении толщины слоя окисла достигается такой момент, когда скорость окисления будет определяться переносом реагирующего материала через массу окисла, причем реакции ( 17) и ( 27) на поверхностях раздела достигают равновесия. В дальнейшем будет показано, что когда этот момент наступает, то дальнейший процесс окисления происходит по известному параболическому закону. [33]
Первая из этих добавок увеличивает число положительных дырок, и это сопровождается увеличением электропроводности и емкости поверхности по отношению к электронам. Увеличение каталитической активности можно объяснить, если медленной стадией является передача электрона поверхностному окислу. [34]
 |
Скорость окисления кремния. а - в сухом кислороде. б - в парах воды при нормальном давлении. [35] |
Поскольку значения подвижности Ог - и положительной дырки существенно различаются, возникает электрическое поле и движение Ог - ускоряется. [36]
В случае рекомбинации свободного электрона и свободной положительной дырки следует учитывать также возможность участия экситонов в процессах возбуждения центров свечения. [37]
После поглощения кванта света освобождаются электроны и положительные дырки, свободно и независимо мигрирующие по совершенной кристаллической решетке при комнатной температуре. [38]
Выделяющаяся впоследствии энергия при рекомбинации электрона и положительной дырки может, наоборот, обусловить переход иона активирующей примеси в возбужденное состояние и вызвать таким образом излучение при возвращении иона из возбужденного в основное состояние. [39]
В этих кристаллах процессы рекомбинации электронов и положительных дырок сопровождаются люминесценцией с небольшим выходом относительно F-центров. [40]
Эти изменения авторы работы связывают с увеличением положительных дырок в кристаллической решетке оксалата никеля. Считается, что при наличии положительных дырок образование начальных центров роста ядер твердого продукта возможно только после их уничтожения в результате рекомбинации с электронами, источниками которых являются термически разлагающиеся анионы. С этим связано увеличение числа электронов, расходуемых в среднем на образование начальных центров и соответствующее увеличение показателя п при добавках лития. [41]
При хемосорбции кислорода следует ожидать увеличения числа положительных дырок в решетке закиси меди; в согласии с этим Гарнер, Грэй и Стоун [62] действительно обнаружили увеличение электропроводности при хемосорбции. [42]
На таких кристаллах легко можно демонстрировать движение положительных дырок. Если внести фотохимически окрашенный кристалл в атмосферу паров брома, то дополнительное поглощение и фотолитическое серебро постепенно исчезают, начиная от свободной поверхности кристалла, причем граница обесцвеченной области весьма резка. При 400 достаточно нескольких секунд для полного обесцвечивания в парах брома с давлением 0 23 ат. Отношение квадрата глубины проникновения ко времени является постоянной величиной, и эта константа скорости позволяет оценить подвижность диффундирующих частиц. Наблюдаемая подвижность слишком велика, чтобы ее можно было приписать перемещению атомов брома. Поэтому считают, что обесцвечивание обусловлено диффузией в кристалл положительных дырок, которые захватываются атомами брома газовой фазы, в результате чего происходит ионизация этих атомов на поверхности кристалла. [43]
Под влиянием прерывистого освещения поток фотоэлектронов или положительных дырок, диффундирующих из освещенных участков кристалла в неосвещенные, перезаряжает пластины конденсатора. Возникающее переменное фотонапряжение на конденсаторе усиливается с помощью лампового усилителя. Измерение спектральных кривых было проведено при частоте освещения 150 гц. [44]
Важной стороной образования скрытого изображения является связывание положительных дырок - фотолитического брома [51] как предохранение фотоэлектронов от рекомбинации. [45]
Страницы: 1 2 3 4