Cтраница 4
Это означает, что образование при освещении подвижных положительных дырок приводит к рекомбинации электронов проводимости на поверхности до адсорбции кислорода и, таким образом, к наблюдаемому ингибированию. [46]
Если в первом возбужденном состоянии электрон локализован вблизи положительной дырки, так что электрон и дырка не могут двигаться независимо, то фотопроводимость не возникнет. Такое физическое образование сходно с атомом водорода, в котором электрон связан с положительно заряженным центральным ядром. Положительная дырка и возбужденный электрон могут двигаться по решетке как одно цело. Ваннье [18] показал, как можно на основе этой модели приближенно определить волновые функции и энергетические уровни экситона. [47]
Типы нестехиометрии. [48] |
Эти более высоко заряженные ионы можно рассматривать как положительные дырки, и, как и в случае с захваченными электронами, тепловая энергия может сообщить им подвижность, и тогда кристалл станет полупроводником. [49]
В процессе образования под действием света электронно-дырочных пар положительные дырки рекомбинируют с электронами донорной примеси. При этом в валентной зоне образуются положительные дырки, так что фотопроводимость р-полупроводника является чисто дырочной. [50]
В процессе образования под действием света электронно-дырочных пар положительные дырки рекомбинируют с электронами донорной примеси. Поэтому фотопроводимость n - полупроводника имеет чисто электронный характер. При этом в валентной зоне образуются положительные дырки, так что фотопроводимость р - пол у проводника является чисто дырочкой. [51]
Кажется несомненным, что подвижные квазисвободные электроны или положительные дырки могут мигрировать к поверхности и связывать там реагирующие молекулы в заряженном или поляризованном состоянии. Это предполагает присутствие электронов в зоне проводимости ( или дырок в валентной зоне), которая в нормальных окисных полупроводниках имеет заметную концентрацию электронов только при повышенных температурах. Льюиса, пригодны как катализаторы. Было показано [1], что этот вывод верен для реакции разложения озона на окислах различных металлов. [52]
В закиси меди темновая проводимость имеет характер переноса положительных дырок. Если механизм темновой проводимости отличен от световой, то убедительность результатов опытов, изображенных на рис. 2, несколько снижается. Однако свойства полупроводников с заведомо электронной проводимостью ( ZnO, W03) так хорошо совпадают со свойствами закиси меди, что необходимо и электронам и дыркам приписать один общий механизм повышения электропроводности. [53]