Cтраница 2
Таким образом, положительные дырки в заполненной зоне обладают подвижностью и могут участвовать в электронной проводимости изоляторов так же, как и электроны в зоне проводимости. [16]
Таким путем образуются свободные положительные дырки. Подобная хемосорбция предполагается для кислорода на окиси меди [15], но не ожидается для многих систем, так как требуется, чтобы катионный уровень У1 лежал в весьма узкой области между потолком заполненной зоны и дискретными примесными уровнями. [17]
Идея о локализации положительных дырок в процессе фотохимического окрашивания получила в последние годы весьма убедительное экспериментальное подтверждение открытием в спектрах поглощения фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов новых полос, так называемых V-полос поглощения, обусловленных положительными дырками, локализованными на дефектах кристаллической структуры. Начиная с 1949 года, этот новый вид поглощения окрашенных кристаллов щелочно-галаид-ных соединений привлекает внимание ряда исследователей. [18]
Тогда масса такой положительной дырки уже будет положительна. [19]
Эти атомы могут захватывать положительные дырки, тогда как соответствующее число электронов захватывается на поверхности центра светочувствительности. В результате происходит эффективный перенос атомов серебра на центр светочувствительности. [20]
Возможно, что часть положительных дырок соединяется с восстановленными молекулами красителя. [21]
Проводимость возникает вследствие передвижения положительных дырок, а не ионов, хотя некоторая ионная проводимость, вероятно, имеет место при высоких температурах; но даже тогда она составляет лишь ничтожную часть общей проводимости. [22]
Каждый исчезнувший электрон называется положительной дыркой, и она может подобно электрону перемещаться по кристаллу. Дырки свободно перемещаются под действием электрического поля, и именно этот процесс характерен для р-типа полупроводников. Отметьте, что и в этом случае проводимость все еще является проводимостью электронного типа. [23]
Такое вакантное состояние называется положительной дыркой. [24]
Такое вакантное состояние называется положительной дыркой, или просто дыркой. Позже мы увидим, что положительной дырке можно приписать эффективную массу, равную по абсолютной величине эффективной массе того электрона, который занял бы это вакантное состояние. [25]
Освобождающиеся электроны аннигилируют с захваченными положительными дырками. Подобным же образом облучение в l / j - полосе вызывает ослабление Уг - и / - полос одновременно, так как оно облегчает рекомбинацию электронов и дырок. В спектре кристаллов, облученных рентгеновскими лучами при температурах, слишком высоких для того, чтобы l / j - центры оставались устойчивыми, обнаруживаются У2 - и У3 - полосы. При нагревании до комнатной температуры первой исчезает К2 - полоса ( одновременно исчезает часть / - полосы), но Vg-полоса ослабляется только при более высоких температурах. Облучение в У3 - полосе вызывает только временное ослабление этой полосы, если кристалл не облучается одновременно в F-полосе. Эти факты согласуются с предположением Зейтца [23] о том, что V2 - и ( - центры состоят соответственно из дырки, захваченной двумя катионными вакансиями, и двух дырок, захваченных двумя катион-ными вакансиями. Большая стабильность У3 - центра и явное отсутствие тенденции к захвату им электрона объясняются тем, что в этом случае образуется устойчивая конфигурация из молекулы галогена, по сторонам которой находятся вакансии двух катионов. Наблюдаются также полосы, возникающие вследствие поглощения в У4 - центрах, аналогичных УИ-центрам. Облучение в / - - полосе ослабляет ее и одновременно, но медленно ослабляет Я-полосу. При нагревании до 78 К Я-полоса исчезает и появляется Vj-полоса. Таким образом, / / - центр состоит из положительной дырки, захваченной парой вакансий. [26]
Экспериментально было установлено, что положительные дырки, достигающие коллекторного электрода ( 2), изменяют форму барьера, в результате чего дырочный ток, идущий с эмитера ( 7), приводит к увеличению эмиссии электронов с коллектора. Таким образом, ток усиливается примерно в 2 раза. [27]
Точно так же и движение положительных дырок не обозначает присутствия в теле свободных положительных зарядов. Приведя тело в быстрое вращение, мы обнаружим инерцию находящихся в нем свободных зарядов. [28]
Между зарядами отрицательных акцепторов и положительных дырок образуется разность потенциалов U, под действием которой в полупроводнике протекает дрейфовый ток дырок, направленный навстречу диффузионному току дырок. По мере диффузии градиент концентрации носителей заряда уменьшается, а дрейфовый ток из-за роста объемных зарядов будет расти. [29]
Следует ожидать, что пара положительных дырок будет разлагаться особенно быстро и что процесс возбуждения будет определять скорость реакции. Ясно, что этот процесс ограничен поверхностью, откуда может удаляться газообразный азот. Получающиеся анионные вакансии захватывают электроны, и при этом возникают / - центры; когда образуется достаточно большой агрегат / - - центров, решетка азида разрывается с образованием металлических зародышей. Такие зародыши эффективно ускоряют последующее термическое разложение, так же как и зародыши, образующиеся при предварительном ультрафиолетовом освещении. [30]