Внешнесферный механизм

Cтраница 2

Перечень реакций, которые, как полагают, идут по внешнесферному механизму, дан в разд. [16]

Итак, как мы могли убедиться, все окислительно-восстановительные реакции могут идти по внешнесферному механизму; он может оказаться предпочтительным даже для таких систем, в которых в принципе может образоваться мостиковая связь. Так, например, хотя Cr2 aq способен быстро присоединять мостиковый лиганд и окисляться по. [17]

Поскольку константа скорости окислительно-восстановительной реакции зависит от константы равновесия, скорость окислительно-восстановительных реакций с внешнесферным механизмом тем больше, чем больше разность окислительно-восстановительных потенциалов реагирующих систем. Существенно изменить скорость окислительно-восстановительной реакции можно, повысив температуру, заменив растворитель или подобрав необходимый катализатор. [18]

Поэтому можно говорить о селективности полупроводниковых индикаторных электродов даже по отношению к системам с внешнесферным механизмом электронного обмена и таким образом ответить на вопрос, поставленный в связи с рис. I. В соответствии с (1.60) и (1.61), одним из факторов, определяющим селективность полупроводникового электрода, является окислительный потенциал раствора, другими словами - можно говорить об электродах, селективных к редокс-си-стемам в определенных границах Ен. Однако, если иметь в виду непосредственно применение полупроводниковых материалов в качестве электродов для оксредмет-рии, то необходимо отметить следующие три обстоятельства. [19]

Поэтому, используя окислительно-восстановительные системы, содержащие ионы с регулируемой способностью к замещению, можно экспериментально подтвердить наличие внешнесферного механизма, при котором перенос электронов происходит без нарушения координационной сферы реагентов, и описать характерные особенности этого механизма. Таким же образом реакции, в которых осуществляются внутрисферные механизмы, можно определить по переносу мостиковых лигандов ( в основном от окислителя к восстановителю) и описать их характеристики. [20]

Перенос электрона между комплексами, в которых лиганды прочно связаны с центральным ионом, чаще всего происходит по внешнесферному механизму. [21]

Перенос электрона между комплексами, в которых лиганды прочно связаны с центральным ионом, чаще всего происходит по внешнесферному механизму. [22]

Значения кажущегося коэффициента переноса а, полученные с 1 М. [23]

Если скорости замещения указанных частиц малы по сравнению со скоростью электрохимической стадии, то это свидетельствует о ее внешнесферном механизме. Использование этого критерия затруднено тем обстоятельством, что молекулы растворителя и другие адсорбированные на электродах частицы обычно очень подвижны. [24]

Сопоставление потенциалов разных электродов в растворах редокс-системы Се4 3. [25]

Что касается кинетики гомогенных и гетерогенных реакций электронного обмена, то система Се4 3 относится к простым, с внешнесферным механизмом электронного обмена, для которых применимо выражение ( I. При переходе от растворов хлорной к растворам серной кислоты скорости гомогенной и гетерогенной реакций увеличиваются. [26]

У ( Н2О) Г, и любая окислительно-восстановительная реакция, скорость которой выше скорости реакции замещения, должна протекать по внешнесферному механизму. [27]

Теория Маркуса предсказывает также наличие корреляции между удельными скоростями химических и электрохимических реакций при условии, что химическое восстановление протекает по внешнесферному механизму. [28]

Каталитическая активность комплекса ЭДТА с Fe3 при избытке ЭДТА, исключающем образование каталитически активных биядерных комплексов [7], по-видимому, объясняется внешнесферным механизмом окисления-восстановления iFe3 в комплексе. [29]

В соответствии с этим уравнением восстановление может идти путями, показанными схематически ниже, где k и k0 константы скоростей соответственно внутри - и внешнесферных механизмов. В случае Y F - и ONO - имеют место как внешнесферные, так и внутри-сферные реакции. ЙГ) растут с увеличением заряда на окислителе. [30]

Страницы: 1 2 3 4