Дырочный механизм

Cтраница 1

Дырочный механизм, однако, как показывают расчеты, приводит к очень низким критическим толщинам разрыва, на порядки меньше наблюдаемых. В связи с этим нами был предложен другой механизм прорыва [8], согласно которому пленка рвется тогда, когда процесс ее локального утончения идет с выигрышем свободной энергии. Эта теория дает возможность рассчитать критическую толщину, не противоречащую экспериментальным данным. Вопрос прорыва полимолекулярных слоев важен, так как им лимитируется существование неустойчивых пен и эмульсий и он лежит, по-видимому, в основе явлений флотационного прилипания пузырьков к взвешенным в жидкости частицам. Для последнего случая была развита и соответствующая теория [46], проверка которой задерживается из-за рассмотренных выше трудностей по исследованию жидких слоев на твердых подкладках. [1]

Дырочный механизм, однако, к & к показывают расчеты, приводит к очень низким критическим толщинам разрыва, на порядки меньше наблюдаемых. В связи с этим нами был предложен другой механизм прорыва [8], согласно которому пленка рвется тогда, когда процесс ее локального утончения идет с выигрышем свободной энергии. Эта теория дает возможность рассчитать критическую толщину, не противоречащую экспериментальным данным. Вопрос прорыва полимолекулярных слоев важен, так как им лимитируется существование неустойчивых пен и эмульсий и он лежит, по-видимому, в основе явлений флотационного прилипания пузырьков к взвешенным в жидкости частицам. Для последнего случая была развита и соответствующая теория [46], проверка которой задерживается из-за рассмотренных выше трудностей по исследованию жидких слоев на твердых подкладках. [2]

Кроме дырочного механизма возможны и другие диффузионные процессы: перемещение дислоцированного атома из одного междоузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или обмен местами двух соседних атомов. Дырочный механизм; осуществим наиболее легко. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / г-атом, перемещение дислоцированного атома 230 ккал / г-атом и при обменном механизме 400 ккал / г-атом. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [3]

Кроме дырочного механизма возможны и другие диффузионные процессы: перемещение дислоцированного атома из одного междоузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или обмен местами двух соседних атомов. Дырочный механизм осуществим наиболее легко. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / г-атом, перемещение дислоцированного атома 230 ккал / г-атом и при обменном механизме 400 ккал / г-атом. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [4]

Кроме дырочного механизма возможны и такие диффузионные процессы - перемещение дислоцированного атома из одного междуузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или - два соседних атома взаимно меняются местами. Дырочный механизм наиболее легко осуществим. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / Г - ат, перемещение дислоцированного атома - 230 ккал / Г - ат и при обменном механизме - 400 ккал / Г - ат. Столь большая численная разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [5]

Электронный или дырочный механизм тока в данном проводнике можно определить не только по знаку термоэдс, но и по направлению, в котором носители тока отклоняются перпендикулярным к направлению тока магнитным полем. Правила электромагнетизма ( например, правило трех пальцев левой руки, связывающее направление отклонения с направлениями магнитного поля и тока) определяют, в какую сторону магнитное поле отклонит заряды. При этом безразлично, переносится ли ток электронами слева направо или дырками справа налево. Если носителями тока были электроны, то та часть проводника, в которую поле отклоняет ток, зарядится отрицательно по отношению к противоположной; если ток создавался дырками, то та сторона, куда отклонился ток, зарядится положительным знаком. [7]

Из других окислов с дырочным механизмом проводимости изучен UO2, который получил применение для термисторов благодаря сравнительно высокому температурному коэффициенту электропроводности и большой устойчивости. [8]

Из других окислов с дырочным механизмом проводимости изучен U02, который получил применение для термистров благодаря сравнительно высокому температурному коэффициенту электропроводности и большой устойчивости. [9]

Проводимость в AgX-мембранах осуществляется ионами Ag по дырочному механизму Френкеля. Мембранная фаза имеет постоянный состав, и диффузионный потенциал внутри мембраны равен нулю. Потенциал галогенсеребряных электродов подчиняется уравнению Нернста. [10]

Кремний может обладать как электронным, так и дырочным механизмом электропроводности, причем примеси III группы периодической системы, введенные в решетку кремния, сообщают ему дырочную проводимость, а примеси V группы - электронную. В последние годы физики научились выращивать из расплава монокристаллы кремния, что было сопряжено с преодолением ряда серьезных трудностей. [11]

В них показано, что диффузия протекает преимущественно по дырочному механизму. [12]

Положительный или отрицательный знак ос свидетельствует об электронном или дырочном механизме тока. Действительно, с повышением температуры в полупроводниках возрастают концентрация и скорость носителей тока, которые поэтому диффундируют от горячего конца к холодному, оставляя в горячем недостаток, а в холодном создавая избыток зарядов и электрическое поле, противодействующее диффузии. Равновесие достигается, когда поток диффузии уравновешивается переносом зарядов электрическим полем. Если носители тока - электроны, горячий конец получает более высокий положительный потенциал, чем холодный, при дырочной проводимости, наоборот, горячий конец заряжен отрицательно. Одновременно с изменением концентрации носителей тока изменяется и контактный потенциал полупроводника. [13]

В этих условиях более подвижными являются электроны, но доминирует дырочный механизм проводимости. [14]

Зависимость коэффициента диффузии от температуры. D - коэффициент диффузии. Т - абсолютная температура.| Глубина диффузионного слоя в зависимости от продолжительности процесса. [15]

Страницы: 1 2 3 4